商品名稱:SiC MOSFET 模塊
品牌:Microchip
年份:24+
封裝:D3
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
MSCSM170AM039CD3AG - 1700V,523A 碳化硅 (SiC) MOSFET 功率模塊
以下是 MSCSM170AM039CD3AG 器件的主要特性:
SiC 功率 MOSFET
- 低 RDS(導(dǎo)通)
- 高溫性能
SiC 肖特基二極管
- 零反向恢復(fù)
- 零正向恢復(fù)
- 開關(guān)行為不受溫度影響
- VF 正溫度系數(shù)
開爾文發(fā)射極,易于驅(qū)動
高度集成
M6 電源連接器
氮化鋁 (AlN) 襯底可提高熱性能
MSCSM170AM039CD3AG - 產(chǎn)品屬性:
技術(shù):碳化硅(SiC)
配置:2 N 溝道(相角)
漏源電壓(Vdss):1700V(1.7kV)
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):523A(Tc)
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):5 毫歐 @ 270A,20V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.3V @ 22.5mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):1602nC @ 20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):29700pF @ 1000V
功率 - 最大值:2.4kW(Tc)
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:D3
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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VSC7425XJG-02
VSC7425XJG-02是業(yè)界首款完全集成的 18 端口千兆以太網(wǎng) (GE) 交換機,在單個封裝中集成了 12 個銅纜 PHY。與 4 端口 PHY VSC8514 配合使用,只需兩個集成電路即可設(shè)計出 18 端口交換機。VSC7425 采用全新 65 納米 SimpliPHY 技術(shù),是業(yè)界最具成本效益、功耗最低的器件之一…VSC7552TSN-V/5CC
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VSC7427XJG-02是業(yè)界首款完全集成的 26 端口千兆以太網(wǎng) (GE) 交換機,在單個封裝中集成了 12 個銅纜 PHY。與 12 端口 PHY VSC8512 配合使用,只需兩個集成電路即可設(shè)計出 26 端口交換機。VSC7427 采用新型 65 納米 SimpliPHY 技術(shù),是業(yè)內(nèi)最具成本效益、功耗最低的器件之…APT80GA90LD40
APT80GA90LD40是一款高速穿透式開關(guān)模式 IGBT器件。通過領(lǐng)先的技術(shù)硅設(shè)計和壽命控制流程,實現(xiàn)低 Eoff。減少 Eoff - VCE(ON) 的權(quán)衡,使其與其他 IGBT 技術(shù)相比,具有更優(yōu)越的效率。技術(shù)規(guī)格APT80GA90LD40的主要規(guī)格包括:IGBT 類型:PT電壓 - 集射極擊穿(最大值):900…APT75GN60LDQ3G
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