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服務(wù)電話(huà):86-755-83294757
商品名稱(chēng):碳化硅 (SiC) MOSFET
品牌:Wolfspeed
年份:24+
封裝:TO-247-3
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
C3M0015065D是基于第三代技術(shù)的650 V, 15 mΩ, 120 A碳化硅功率MOSFET,具有低導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗,可最大限度地提高效率和功率密度。Wolfspeed 650 V MOSFET產(chǎn)品系列非常適合高性能工業(yè)電源、服務(wù)器/電信電源、電動(dòng)汽車(chē)充電系統(tǒng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、不間斷電源和電池管理系統(tǒng)等應(yīng)用。
C3M0015065D的規(guī)格:
FET 類(lèi)型:N 通道
技術(shù):SiCFET
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):120A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):21 毫歐 @ 55.8A,15V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3.6V @ 15.5mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):188 nC @ 15 V
Vgs(最大值):+15V,-4V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):5011 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):416W(Tc)
工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
安裝類(lèi)型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:TO-247-3
封裝/外殼:TO-247-3
基本產(chǎn)品編號(hào):C3M0015065
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線(xiàn)商品均可在線(xiàn)即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線(xiàn)聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線(xiàn)品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來(lái)溝通確認(rèn)。
答:可以通過(guò)網(wǎng)站上詢(xún)價(jià),也可以通過(guò)電話(huà)以及郵箱咨詢(xún)。
答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
Wolfspeed(紐交所代碼:NYSE)在全球采用碳化硅和 GaN 技術(shù)方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。我們?yōu)楦咝茉聪暮涂沙掷m(xù)未來(lái)提供行業(yè)領(lǐng)先的解決方案。Wolfspeed 的產(chǎn)品系列包括碳化硅材料、電源開(kāi)關(guān)器件和射頻器件,涵蓋電動(dòng)汽車(chē)、快速充電、5G、可再生能源和存儲(chǔ)以及航空航天和國(guó)…
C3M0060065D
C3M0045065K 是 N 溝道增強(qiáng)型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0060065D 的特性第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻塞電壓,低導(dǎo)通電阻高速開(kāi)關(guān),低電容快速本征二極管,低反向恢復(fù) (Qrr)無(wú)鹵素,符合 RoHS 規(guī)范C3M0060065D 的優(yōu)點(diǎn)更高的系統(tǒng)效率降低冷卻要求功率密度更高提高…C3M0045065K
C3M0045065K 是 N 溝道增強(qiáng)型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0045065K 的特性C3MTM 碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)優(yōu)化封裝,具有獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)源引腳漏極和源極之間的爬電距離為 8 毫米高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻高速開(kāi)關(guān),低電容快速本征二極管,低反向恢復(fù) (Qrr)無(wú)鹵素,符合…C3M0021120D
C3M0021120D 是 N 溝道增強(qiáng)型 C3M 碳化硅功率 MOSFET 晶體管。C3M0021120D 的特點(diǎn)第三代碳化硅 MOSFET 技術(shù)高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻高速開(kāi)關(guān),低電容具有低反向恢復(fù) (Qrr) 的快速本征二極管無(wú)鹵素,符合 RoHS 規(guī)范C3M0021120D 的優(yōu)點(diǎn)降低開(kāi)關(guān)損耗,最大限度地減少柵極振鈴…E4M0060075K1
E4M0060075K1 是汽車(chē) N 溝道增強(qiáng)模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0060075K1 的特點(diǎn)優(yōu)化封裝,具有獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)源引腳高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻高速開(kāi)關(guān),低電容本征二極管速度快,反向恢復(fù) (Qrr) 低無(wú)鹵素,符合 RoHS 規(guī)范通過(guò)汽車(chē)認(rèn)證 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…E4M0045075K1
E4M0045075K1 是汽車(chē) N 溝道增強(qiáng)模式 E 系列碳化硅功率 MOSFET 晶體管。E4M0045075K1 的特點(diǎn)優(yōu)化封裝,具有獨(dú)立的驅(qū)動(dòng)源引腳高阻斷電壓,低導(dǎo)通電阻高速開(kāi)關(guān),低電容本征二極管速度快,反向恢復(fù) (Qrr) 低無(wú)鹵素,符合 RoHS 規(guī)范通過(guò)汽車(chē)認(rèn)證 (AEC-Q101),符合 PPAP 要求E…HAS350M12BM3
HAS350M12BM3是一款1200 V、4 mΩ、62 mm、半橋、工業(yè)級(jí) HV-H3TRB 認(rèn)證、CTI 600、SiC 功率模塊。Wolfspeed HAS模塊非常適用于高頻 工業(yè)應(yīng)用,如感應(yīng)加熱、軌道/牽引、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電動(dòng)汽車(chē)充電基礎(chǔ)設(shè)施。HAS350M12BM3具有以下特性:漏源電壓(Vdss):1200V25C 時(shí)電流 -…電話(huà)咨詢(xún):86-755-83294757
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