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產(chǎn)品分類

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商品型號:IMW120R060M1H

商品名稱:IMW120R060M1H

數(shù)據(jù)手冊:IMW120R060M1H.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:TO247-3

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
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技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
IMW120R060M1H
封裝
TO247-3
描述
采用TO247-3封裝的1200V CoolSiC?溝槽式碳化硅MOSFET

產(chǎn)品描述

IMW120R060M1H是采用TO247-3封裝的1200 V、60 mΩ CoolSiC?  SiC MOSFET,它基于先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝,該工藝經(jīng)過優(yōu)化,兼具性能與可靠性。 與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)硅(Si)基開關(guān)相比,SiC MOSFET具有諸多優(yōu)勢,例如1200V級開關(guān)中最低的柵極電荷和器件電容電平、抗換向體二極管無反向恢復(fù)損耗、 獨(dú)立于溫度的低開關(guān)損耗以及無閾值導(dǎo)通特性。因此,CoolSiC? MOSFET非常適用于硬開關(guān)和諧振開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),如功率因素校正(PFC)電路、雙向拓?fù)湟约癉C-DC轉(zhuǎn)換器或DC-AC逆變器。


特征描述

一流的開關(guān)和導(dǎo)通損耗

基準(zhǔn)高閾值電壓,Vth > 4 V

0V關(guān)斷柵極電壓,簡單輕松地進(jìn)行柵極驅(qū)動

柵源電壓范圍寬

損耗低且牢固的體二極管,可用于硬換向

開關(guān)關(guān)斷損耗不受溫度影響


優(yōu)勢

最高效率

減少了冷卻工作

提高了操作頻率

增加了功率密度

降低了系統(tǒng)的復(fù)雜程度


應(yīng)用領(lǐng)域

不間斷電源(UPS)

電動汽車快速充電

電機(jī)控制和驅(qū)動

太陽能系統(tǒng)解決方案

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封裝

數(shù)量

描述

IMZ120R060M1H

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常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎?

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INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…

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