商品名稱:GaN 晶體管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PDFN 5x6
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1250 件
GS-065-011-6-L-MR 是一款增強型氮化鎵非硅功率晶體管。GaN 的特性可實現(xiàn)高電流、高電壓擊穿和高開關頻率。GaN Systems 通過業(yè)界領先的創(chuàng)新技術,如獲得專利的 Island Technology? 單元布局,實現(xiàn)了大電流芯片和高產量。GS-065-011-6-L-MR 是底部冷卻型晶體管,具有極低的結殼熱阻,適用于要求苛刻的高功率應用。這些特性結合在一起,可提供極高效率的功率開關。
應用
電源適配器
LED照明驅動器
電池充電快
功率因數(shù)校正
工業(yè)電源
光伏
電信基礎設施用交流-直流電源轉換
數(shù)據中心和計算解決方案
電器和工業(yè)電機驅動器
無線功率傳輸
GS-065-011-6-L-MR產品屬性:
FET 類型: N 通道
技術:GaNFET(氮化鎵)
漏源電壓(Vdss): 700 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :12.2A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值): 180 毫歐 @ 3.2A,6V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 2.6V @ 2.4mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 2.2 nC @ 6 V
Vgs(最大值): +7V,-10V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 70 pF @ 400 V
工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
供應商器件封裝: 8-PDFN(5x6)
封裝/外殼: 8-PowerVDFN
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要,在這些應用中,價格/性能、實時響應性、計算能…IDW10G120C5B
IDW10G120C5B一款 1200V、10A 碳化硅(SiC)肖特基二極管,屬于 CoolSiC? 第五代 產品系列,采用 TO-247-3 封裝BSZ42DN25NS3G
BSZ42DN25NS3G 250V OptiMOS? 3 N 溝道功率 MOSFET 晶體管是性能領先的基準技術,完全適用于 48V 系統(tǒng)中的同步整流、DC-DC 轉換器、不間斷電源 (UPS) 和直流電機驅動器的逆變器。BSZ42DN25NS3G 的規(guī)格晶體管極性:N 溝道通道數(shù):1 通道Vds - 漏極-源極擊穿電壓:250 VId…CY91F587LBPMC-GTE1
CY91F587LBPMC-GTE1 是32 位 FR81S 系列單核微控制器,具有 128MHz 的主頻、1.0625MB 的閃存(1.0625M x 8)、96KB 的 RAM 和 24 通道的 12 位 ADC。IPD14N06S2-80
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IRF1310NPBF是一款100V 單 N 通道功率 MOSFET,采用 TO-220 封裝。電話咨詢:86-755-83294757
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