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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

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商品型號:IMW120R350M1H

商品名稱:IMW120R350M1H

數(shù)據(jù)手冊:IMW120R350M1H.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:TO-247-3

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1200

數(shù)量:
在線詢價(jià)

聯(lián)系人:

聯(lián)系郵箱:

聯(lián)系電話:

公司名稱:

技術(shù)參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
IMW120R350M1H
封裝
TO-247-3
描述
采用TO247-3封裝的1200 V CoolSiC?溝槽式碳化硅MOSFET

產(chǎn)品描述

IMW120R350M1H采用TO247-3封裝的1200 V、350 mΩ CoolSiC?  SiC MOSFET,它基于先進(jìn)的溝槽半導(dǎo)體工藝,該工藝經(jīng)過優(yōu)化,兼具性能與可靠性。


產(chǎn)品屬性

系列: CoolSiC?  

包裝: 管件 

FET 類型: N 通道  

技術(shù): SiCFET(碳化硅)  

漏源電壓(Vdss): 1200 V  

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :4.7A(Tc)  

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 15V,18V  

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 455 毫歐 @ 2A,18V  

不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 5.7V @ 1mA  

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 5.3 nC @ 18 V  

Vgs(最大值): +23V,-7V  

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 182 pF @ 800 V  

FET 功能: -  

功率耗散(最大值): 60W(Tc)  

工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)  

安裝類型: 通孔  

供應(yīng)商器件封裝 :PG-TO247-3-41  

封裝/外殼 :TO-247-3  

基本產(chǎn)品編號: IMW120


潛在應(yīng)用

能源生產(chǎn)

太陽能組串逆變器和太陽能優(yōu)化器

工業(yè)電源

工業(yè)用UPS

工業(yè)用SMPS

基礎(chǔ)設(shè)施--充電

充電器

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封裝

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描述

IMZ120R060M1H

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常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價(jià)格準(zhǔn)確嗎?

    答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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    答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。

  • 3.可以提供原廠或代理的資質(zhì)證明嗎?

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    答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。

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