商品名稱:電源管理
品牌:Qorvo
年份:24+
封裝:QFN-37
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
ACT43750-101是一款高度集成的漏極開關(guān)和負(fù)柵極穩(wěn)壓器PMIC,設(shè)計(jì)用于實(shí)現(xiàn)超快射頻GaN PA漏極開關(guān)。ACT43750可集成為用于相控陣商用和國(guó)防雷達(dá)的緊湊型三級(jí)電源解決方案的一部分。該三芯片解決方案提供可配置的GaN偏置點(diǎn)自動(dòng)校準(zhǔn),從而最大限度地提高不同GaN功率放大器(PA)的系統(tǒng)性能,而無需改變電路板設(shè)計(jì)。
該芯片組優(yōu)化了相控陣系統(tǒng)中的脈沖儲(chǔ)能電容器,將電容降低高達(dá)90%。 創(chuàng)新架構(gòu)實(shí)現(xiàn)了更小的占位面積、更輕的重量以及更低的整體運(yùn)行成本。
特性:
輸出電壓:-6V至-1.5V(732x μVSTEP)
輸出拉電流:300mA,500mA峰值
低噪聲輸出:<200μVRMS
高度集成的漏極開關(guān)和負(fù)柵極穩(wěn)壓器PMIC
實(shí)現(xiàn)超快射頻GaN PA漏極開關(guān)
可作為緊湊型3段電源解決方案的一部分
簡(jiǎn)化系統(tǒng)制造,同時(shí)降低溫度和設(shè)備老化對(duì)射頻性能的影響
5.0mm2 、40引腳QFN封裝
無鉛、無鹵、符合RoHS指令
應(yīng)用:
射頻GaN/GaAs PA電源
軍用雷達(dá)系統(tǒng)
民用雷達(dá)系統(tǒng)
衛(wèi)星通信上行鏈路
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
Qorvo總部位于美國(guó)北卡羅來納州,匯聚30余年的設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn),全球擁有近8,000名員工。Qorvo在中國(guó)具有兩大生產(chǎn)基地,位于北京市和山東省德州市。Qorvo(Beijing)成立于2001年6月28日,位于北京亦莊經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū), 現(xiàn)有員工2400余人;Qorvo(Dezhou)成立于2015年,位于山東省德…
RF5426TR13
RF5426TR13 是一款射頻前端集成電路(RF Front End IC),專為滿足現(xiàn)代通信設(shè)備對(duì)高性能射頻信號(hào)處理的需求而設(shè)計(jì)。QPF4509
QPF4509是Qorvo公司設(shè)計(jì)的一款專為Wi-Fi 7(802.11be)系統(tǒng)的高功率前端模塊(FEM)。性能側(cè)重于優(yōu)化 PA 的 5V 電源電壓,以最大限度地降低功耗,從而允許使用數(shù)字預(yù)失真的系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)最高的線性輸出功率和射頻鏈的領(lǐng)先吞吐量。這是在寬帶寬上完成的,支持在 UNII1-4(5.170…QPF4609
Qorvo QPF4609是一款專為 Wi-Fi 7 (802.11be) 系統(tǒng)設(shè)計(jì)的集成前端模塊(FEM)。小尺寸和集成匹配最大限度地減少了應(yīng)用程序中的布局區(qū)域。性能側(cè)重于優(yōu)化 PA 的 5V 電源電壓,以最大限度地降低功耗,從而允許使用數(shù)字預(yù)失真的系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)最高的線性輸出功率和射頻鏈的領(lǐng)先吞…RFFM4227TR13
RFFM4227TR13是專為 Wi-Fi 802.11b/g/n 系統(tǒng)設(shè)計(jì)的低噪聲放大器 (LNA)。QM42195SR
QM42195SR是Qorvo公司推出的一款高性能射頻前端(RF FEM)模塊,專為802.11ax 2.4GHz WiFi應(yīng)用設(shè)計(jì)。UG4SC075011K4S
UG4SC075011K4S “Combo-FET ”將 750V SiC JFET 和低壓 Si MOSFET 集成到單個(gè) TO-247-4L 封裝中。 這種創(chuàng)新方法使用戶能夠創(chuàng)建支持常開開關(guān)的電路,同時(shí)充分利用常開 SiC JFET 的優(yōu)勢(shì)。這些優(yōu)勢(shì)包括超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)),可最大限度地減少傳導(dǎo)損耗,以及簡(jiǎn)化 JFET 器…電話咨詢:86-755-83294757
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