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功率 MOSFET IQDH88N06LM5SC 具有 0.86 mOhm 的低 RDS(on)，并具有出色的散熱性能，便于管理功率損耗。此外，與包覆封裝相比，雙面冷卻封裝的耗散功率高出五倍。

產(chǎn)品特性（IQDH88N06LM5SC）

最先進(jìn)的 60 V 硅技術(shù)

出色的 FOM

改進(jìn)的熱性能

超低寄生

最大化芯片/封裝比

規(guī)格（IQDH88N06LM5SC）

制造商: Infineon

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PG-WHSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續(xù)漏極電流: 447 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 860 uOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.3 V

Qg-柵極電荷: 76 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 333 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降時間: 16 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 115 S

產(chǎn)品類型: MOSFETs

上升時間: 8 ns

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 53 ns

典型接通延遲時間: 14 ns

應(yīng)用領(lǐng)域（IQDH88N06LM5SC）

低壓驅(qū)動

電池供電

電源

服務(wù)器電源

計算和數(shù)據(jù)存儲

• 1.平臺上看到的庫存、價格準(zhǔn)確嗎？

  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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  答：我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。

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  答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認(rèn)。

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  答：可以通過網(wǎng)站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。

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  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計商品的發(fā)貨時間，具體到貨時間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

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  答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。