商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-WHTFN-9
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1680 件
功率 MOSFET IQDH88N06LM5CGSC 具有 0.86 mOhm 的低 RDS(on),同時具有出色的熱性能,便于管理功率損耗。中心柵基底面針對并行化進(jìn)行了優(yōu)化。此外,與包覆封裝相比,雙面冷卻封裝的耗散功率要高出五倍。
產(chǎn)品特性
N 溝道,邏輯電平
極低的導(dǎo)通電阻 RDS(on)
出色的熱阻
優(yōu)化的雙面冷卻設(shè)計
100% 通過雪崩測試
無鉛電鍍;符合 RoHS 規(guī)范
無鹵素,符合 IEC61249-2-21 標(biāo)準(zhǔn)
IQDH88N06LM5CGSC表面貼裝型 N 通道 60 V 42A(Ta),447A(Tc) 3W(Ta),333W(Tc) PG-WHTFN-9-U02
產(chǎn)品規(guī)格
FET 類型: N 通道
技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id): 42A(Ta),447A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值): 0.86 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值): 2.3V @ 163μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值): 95 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值): 14000 pF @ 30 V
功率耗散(最大值) :3W(Ta),333W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 175°C(TJ)
應(yīng)用領(lǐng)域
50 kW 至 350 kW 的充電器
低壓驅(qū)動
電動工具
電源
計算和數(shù)據(jù)存儲
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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