商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PG-WHSON-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1680 件
IQD020N10NM5SC是OptiMOS? 功率 MOSFET 100 V,采用 PQFN 5x6 降源 DSC 封裝,具有業(yè)界領(lǐng)先的 RDS(on)。
功率 MOSFET IQD020N10NM5SC 具有 2,05 mOhm 的低 RDS(on),并具有出色的散熱性能,便于管理功率損耗。此外,采用雙面冷卻封裝后,耗散功率是包覆封裝的五倍。
產(chǎn)品特征
尖端的 100 V 硅技術(shù)
出色的 FOM
改進(jìn)的熱性能
超低寄生
最大化芯片/封裝比
應(yīng)用領(lǐng)域
低壓驅(qū)動
多軸飛行器
汽車電池管理系統(tǒng) (BMS)
輕型電動車
太陽能系統(tǒng)解決方案
IQD020N10NM5SC產(chǎn)品屬性
產(chǎn)品種類: MOSFET
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: PG-WHSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續(xù)漏極電流: 276 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.05 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.8 V
Qg-柵極電荷: 107 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 333 W
通道模式: Enhancement
商標(biāo)名: OptiMOS
配置: Single
下降時間: 7 ns
上升時間: 6 ns
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時間: 28 ns
典型接通延遲時間: 15 ns
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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