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IPT026N12NM6這是一款采用 TO 無引線封裝的普通級 120 V MOSFET，導通電阻為 2.6 mOhm。

與 OptiMOS? 3 相比，該技術(shù)的特點是：RDS(on)最多可提高 58%，F(xiàn)OMg 最多可提高 66%，Qrr 最多可提高 90%，F(xiàn)OMoss 最多可提高 35%。IPT026N12NM6 屬于英飛凌 OptiMOS? 6 功率 MOSFET 系列。

IPT026N12NM6特征

- N 溝道，正常電平

- 極低的導通電阻 RDS(on)

- 出色的柵極電荷 x R 積（FOM） DS(on)

- 極低的反向恢復電荷 (Q )rr

- 雪崩能量等級高

- 175°C 工作溫度

- 針對高頻開關(guān)進行了優(yōu)化

- 無鉛電鍍；符合 RoHS 規(guī)范

- 無鹵素，符合 IEC61249-2-21 標準

- 符合 J-STD-020 的 MSL 1 級標準

IPT026N12NM6產(chǎn)品屬性

制造商： Infineon Technologies  

系列： OptiMOS? 6  

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 120 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 23A（Ta），224A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 8V，10V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 2.6 毫歐 @ 115A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 3.6V @ 169μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 88 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 6500 pF @ 60 V  

功率耗散（最大值）： 3W（Ta），283W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應商器件封裝： PG-HSOF-8-1  

封裝/外殼： 8-PowerSFN 

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