商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
IMZC120R053M2是CoolSiC? MOSFET 分立式 1200 V、53 mΩ G2 采用 TO-247 4 引腳高爬電封裝,在第 1 代技術(shù)優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)上進(jìn)行了重大改進(jìn),為成本優(yōu)化、高效、緊湊、易于設(shè)計(jì)和可靠的系統(tǒng)提供了先進(jìn)的解決方案。它為所有常見的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 級(jí)組合提供了更好的硬開關(guān)操作和軟開關(guān)拓?fù)洹?/span>
IMZC120R053M2器件規(guī)格
制造商: Infineon
產(chǎn)品種類: 碳化硅MOSFET
封裝 / 箱體: TO-247-4
晶體管極性: N-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 1.2 kV
Id-連續(xù)漏極電流: 38 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 53 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 5.1 V
Qg-柵極電荷: 30 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 182 W
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降時(shí)間: 5.9 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 9 S
上升時(shí)間: 5.5 ns
技術(shù): SiC
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: SiC MOSFET
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 10 ns
典型接通延遲時(shí)間: 4.5 ns
特征
在 VGS = 18 V、Tvj = 25°C 時(shí),RDS(on) = 53 mΩ
開關(guān)損耗極低
更寬的最大 VGS 范圍 最大 VGS 范圍從 -10 V 至 +25 V
過(guò)載工作溫度可達(dá) Tvj = 200°C
短路耐受時(shí)間 2 μs
基準(zhǔn)柵極閾值電壓 4.2 V
穩(wěn)健的寄生導(dǎo)通
.XT 互連技術(shù)
更嚴(yán)格的 VGS(th) 參數(shù)分布
潛在應(yīng)用
通用驅(qū)動(dòng)器 (GPD)
電動(dòng)汽車充電
在線 UPS/工業(yè) UPS
太陽(yáng)能優(yōu)化器
組串逆變器
儲(chǔ)能系統(tǒng) (ESS)
焊接
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
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