商品名稱：SoC FPGA
品牌：Microchip
年份：24+
封裝：FBGA-325
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：2000 件
SmartFusion2 SoC FPGA在低密度器件中提供更多資源，具備最低功耗、久經(jīng)驗證的安全性和出色的可靠性。M2S025S-1FCSG325I在單個芯片上結(jié)合了第四代基于閃存的FPGA結(jié)構(gòu)、Arm Cortex -M3處理器和高性能通信接口。它們廣泛應(yīng)用于通信、工業(yè)、醫(yī)療、國防和航空市場。
主要特點：
? 最多16條收發(fā)器通道
? PCIe Gen2，XAUI/XGXS+，3.2G時為通用（EPCS）模式
? 最多150K LE，5 Mb SRAM，4 Mb eNVM
? 667 Mbps DDR2/3硬控制器
? 集成DSP處理模塊
? 待機功耗低至7 mW（典型值）
? 增強防DPA攻擊能力，AES256，SHA256，按需NVM數(shù)據(jù)完整性檢查
? SEU免疫的存儲器：eSRAM和DDR橋接器
應(yīng)用：
電機控制
航空
系統(tǒng)管理
工業(yè)
國防
通信
醫(yī)療
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
Microchip Technology Incorporated（納斯達克股市代號：MCHP）美國微芯半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的單片機和模擬半導(dǎo)體供應(yīng)商，為全球數(shù)以千計的消費類產(chǎn)品提供低風(fēng)險的產(chǎn)品開發(fā)、更低的系統(tǒng)總成本和更快的產(chǎn)品上市時間。Microchip公司自成立以來，就密切關(guān)注嵌入控制半導(dǎo)體產(chǎn)品市…
VSC7425XJG-02
VSC7425XJG-02是業(yè)界首款完全集成的 18 端口千兆以太網(wǎng) (GE) 交換機，在單個封裝中集成了 12 個銅纜 PHY。與 4 端口 PHY VSC8514 配合使用，只需兩個集成電路即可設(shè)計出 18 端口交換機。VSC7425 采用全新 65 納米 SimpliPHY 技術(shù)，是業(yè)界最具成本效益、功耗最低的器件之一…
VSC7552TSN-V/5CC
VSC7552TSN-V/5CC SparX-5i-128 是一款 128 Gbps 工業(yè)以太網(wǎng)交換機，支持 1G、2.5G、5G、10G 和 25G 以太網(wǎng)端口組合。該器件提供豐富的工業(yè)以太網(wǎng)交換功能，包括完整的 TSN 功能集、L2 交換、L3 路由、無縫冗余和高精度定時。它采用多級多功能內(nèi)容感知處理器（VCAP）技術(shù)…
VSC7427XJG-02
VSC7427XJG-02是業(yè)界首款完全集成的 26 端口千兆以太網(wǎng) (GE) 交換機，在單個封裝中集成了 12 個銅纜 PHY。與 12 端口 PHY VSC8512 配合使用，只需兩個集成電路即可設(shè)計出 26 端口交換機。VSC7427 采用新型 65 納米 SimpliPHY 技術(shù)，是業(yè)內(nèi)最具成本效益、功耗最低的器件之…
APT80GA90LD40
APT80GA90LD40是一款高速穿透式開關(guān)模式 IGBT器件。通過領(lǐng)先的技術(shù)硅設(shè)計和壽命控制流程，實現(xiàn)低 Eoff。減少 Eoff - VCE(ON) 的權(quán)衡，使其與其他 IGBT 技術(shù)相比，具有更優(yōu)越的效率。技術(shù)規(guī)格APT80GA90LD40的主要規(guī)格包括：IGBT 類型：PT電壓 - 集射極擊穿（最大值）：900…
APT75GN60LDQ3G
APT75GN60LDQ3G是一款600 V 溝槽型場截止型IGBT，主要應(yīng)用于功率控制領(lǐng)域?；緟?shù)IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：155 A電流 - 集電極脈沖 (Icm)：225 A不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：1.85V @ 15V，75A…
APT50GN60BDQ2G
APT50GN60BDQ2G是由Microchip推出的一款采用TO-247封裝的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)，具有FLANGE MOUNT結(jié)構(gòu)，適用于各種工業(yè)應(yīng)用中的緊湊型設(shè)計需求。技術(shù)參數(shù)APT50GN60BDQ2G的主要參數(shù)如下：IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V電流 - 集電極 (Ic)（…電話咨詢：86-755-83294757
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