商品名稱:BSC004NE2LS5ATMA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):BSC004NE2LS5ATMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:8-PowerTDFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:5000 件
BSC004NE2LS5ATMA1是一款采用SuperSO8封裝的OptiMOS? 5低壓功率MOSFET 25V晶體管,其BiC RDS(on)為0.45mOhm。
BSC004NE2LS5ATMA1的產(chǎn)品屬性
技術(shù): 硅技術(shù)
安裝方式: SMD/SMT
封裝/外殼:TDSON-8-FL
晶體管極性: N-溝道
通道數(shù): 1個(gè)通道
Vds - 漏極-源極擊穿電壓:25 V
Id - 連續(xù)漏極電流:479 A
Rds On - 漏極-源極電阻: 540 uOhms
Vgs - 柵極源電壓:- 20 V,+ 20 V
Vgs th - 柵源閾值電壓:1.5 V
Qg - 柵極電荷:238 nC
BSC004NE2LS5ATMA1的特點(diǎn)
優(yōu)異的通態(tài)電阻
基準(zhǔn)的開(kāi)關(guān)性能(最小質(zhì)量系數(shù)RDS(on) x Qg和RDS(on) x Qgd)
為環(huán)形電路優(yōu)化的特定部件,提供低RDS(on)。
帶有集成肖特基二極管的部件和漏電流減少的型號(hào)
晶體管 BSC004NE2LS5ATMA1 N-溝道功率MOSFET 晶體管 8-PowerTDFN
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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