商品名稱:BSZ036NE2LSATMA1
數(shù)據(jù)手冊:BSZ036NE2LSATMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:8-PowerTDFN
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:5000 件
BSZ036NE2LSATMA1是N溝道功率MOSFET晶體管,極低的柵極和輸出電荷,加上極低的導(dǎo)通電阻和小封裝尺寸,使OptiMOS? 25V成為要求嚴(yán)格的服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信和通信穩(wěn)壓器解決方案的最佳選擇。
BSZ036NE2LSATMA1的產(chǎn)品屬性
零件編號:BSZ036NE2LSATMA1
Rds On - 漏極-源極電阻: 4.1 mOhms
Vgs - 柵極源電壓:- 20 V,+ 20 V
Vgs th - 柵極-源極閾值電壓:2 V
Qg - 柵極電荷: 16 nC
最低工作溫度:- 55 C
BSZ036NE2LSATMA1的特點(diǎn)
通過減少多相轉(zhuǎn)換中的相位數(shù)來節(jié)省整體系統(tǒng)成本
在所有負(fù)載條件下降低功耗并提高效率
通過小型封裝或封裝的系統(tǒng)解決方案,如CanPAK?、S3O8等,節(jié)省空間。
大大降低系統(tǒng)EMI,無需外部緩沖網(wǎng)絡(luò),使產(chǎn)品更容易設(shè)計成
集成電路芯片BSZ036NE2LSATMA1 N溝道MOSFET晶體管 8-PowerTDFN
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封裝
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價格/性能、實(shí)時響應(yīng)性、計算能…IRS2052M
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IRS2452AM是一款集成了兩個高壓高性能D類音頻放大器驅(qū)動器通道的IC,具有PWM調(diào)制器和多種保護(hù)功能?。它結(jié)合外部MOSFET,可以形成一個完整的雙通道D類音頻放大器。IRS2452AM的優(yōu)勢包括:雙通道集成邏輯輸入 D 類放大器差分或單端輸入多功能保護(hù)控制,用于激活鎖定、非鎖定…IGCM20F60GA
IGCM20F60GA是一款由 Infineon 推出的600 V、20 A CIPOS? Mini 三相智能功率模塊 (IPM),其主要規(guī)格如下:類型:IGBT配置:3 相電流:20 A電壓:600 V電壓 - 隔離:2000Vrms安裝類型:通孔封裝/外殼:24-PowerDIPIGCM20F60GA的特點(diǎn)包括:基于反向?qū)?IGBT 技術(shù)20 A 逆變…IGCM15F60GA
IGCM15F60GA是一款600 V、15 A CIPOS? Mini 三相智能功率模塊 (IPM),帶發(fā)射極開路,采用 DIP 36x21 封裝。IGCM15F60GA提供成本和性能優(yōu)化的效率,結(jié)合反向?qū)?(RC) IGBT 以及出色的熱傳導(dǎo)和電氣隔離,適用于電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用。其主要特性如下:基于反向?qū)?IGBT 技術(shù)15…IGCM04G60HA
IGCM04G60HA CIPOS Mini智能功率模塊 (IPM)設(shè)計用于控制電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用,例如冰箱。IGCM04G60HA采用 DIP 36x21 封裝。它提供成本和性能優(yōu)化的效率,結(jié)合了反向?qū)?(RC) IGBT 以及出色的熱傳導(dǎo)和電氣隔離,適用于低功率電機(jī)驅(qū)動器。CIPOS? Mini系列配置包括兩相MOSFET、…電話咨詢:86-755-83294757
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