商品名稱:ARM微控制器 - MCU
品牌:ST
年份:24+
封裝:UFQFPN-48
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3500 件
STM32F091CBU6器件是一款基于ARM Cortex-M0核心的32位閃存微控制器(MCU),具有128 KB Flash、48 MHz CPU、CAN和CEC功能。該器件旨在為嵌入式應(yīng)用提供高性能、低功耗和易于開發(fā)的特性。
產(chǎn)品屬性
核心:ARM Cortex M0
程序存儲器大?。?28 kB
數(shù)據(jù)總線寬度:32 bit
ADC分辨率:12 bit
最大時(shí)鐘頻率:48 MHz
輸入/輸出端數(shù)量:38 I/O
數(shù)據(jù) RAM 大?。?2 kB
電源電壓-最?。? V
電源電壓-最大:3.6 V
最小工作溫度:- 40°C
最大工作溫度:+ 85°C
封裝/外殼:UFQFPN-48
模擬電源電壓:2 V to 3.6 V
商標(biāo):STMicroelectronics
DAC分辨率:12 bit
數(shù)據(jù) Ram 類型:SRAM
數(shù)據(jù) ROM 大?。?
數(shù)據(jù) Rom 類型:-
I/O 電壓:2 V to 3.6 V
接口類型:CAN, CEC, I2C, SPI, USART
濕度敏感性:Yes
ADC通道數(shù)量:13 Channel
計(jì)時(shí)器/計(jì)數(shù)器數(shù)量:9 Timer
處理器系列:STM32
產(chǎn)品:MCUs
產(chǎn)品類型:ARM Microcontrollers - MCU
程序存儲器類型:Flash
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進(jìn)的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進(jìn)專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時(shí)為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進(jìn)的專有溝柵場運(yùn)算結(jié)構(gòu)開發(fā),旨在實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…STGWA40M120DF3
STGWA40M120DF3是一款1200 V、40 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,具有低損耗和短路功能,特別適用于需要高性能和高效率的逆變系統(tǒng)。其正的溫度系數(shù)VCE(sat)和嚴(yán)格的參數(shù)分布確保了并行操作的安全性?。STGWA40M120DF3具有以下技術(shù)規(guī)格:IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集…STGW8M120DF3
STGW8M120DF3器件是一款1200 V、8 A溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,因其低損耗和短路功能,STGW8M120DF3 IGBT特別適合需要高性能和高效率的逆變器系統(tǒng)?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用場景如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200 V電流 - 集電極 (I…STGW40H65DFB
STGW40H65DFB是一款650 V、40 A的高速溝槽柵場截止HB系列IGBT。該產(chǎn)品采用先進(jìn)的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu),旨在優(yōu)化導(dǎo)通和開關(guān)損耗的平衡,從而提高任何頻率轉(zhuǎn)換器的效率?。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電…電話咨詢:86-755-83294757
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