商品名稱:IQE030N06NM5CGSCATMA1
數(shù)據(jù)手冊:IQE030N06NM5CGSCATMA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:PG-WHTFN-9
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3000 件
IQE030N06NM5CGSCATMA1功率MOSFET的設(shè)計(jì)符合提升系統(tǒng)效率的需求,同時可降低系統(tǒng)成本。相較于其他備選器件,這些器件的RDS(on)和品質(zhì)因數(shù) (RDS(on) x Qg) 更低。該產(chǎn)品采用新型硅技術(shù),經(jīng)優(yōu)化可達(dá)到并超過能源效率和功率密度要求。典型應(yīng)用包括計(jì)算領(lǐng)域中的服務(wù)器、數(shù)據(jù)通信和客戶端應(yīng)用。它們還可用于開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的同步整流以及電機(jī)控制、微型太陽能逆變器和快速開關(guān)直流/直流轉(zhuǎn)換器應(yīng)用。
產(chǎn)品規(guī)格:
FET 類型:N 通道
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss):60 V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id):21A(Ta),132A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值):3 毫歐 @ 20A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值):3.3V @ 50μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值):49 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值):3800 pF @ 30 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):2.5W(Ta),100W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝:PG-WHTFN-9-1
封裝/外殼:9-PowerWDFN
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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FS450R12KE3 是一款高性能的六單元 IGBT 模塊,屬于 EconoPACK? + B 系列。FP75R12KT4-B16
FP75R12KT4-B16 是英飛凌推出的 IGBT 功率模塊,屬于 EconoPIM? 3 系列,采用 三相反相器配置,適用于 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動、變頻器、UPS 電源 等高功率應(yīng)用。FP75R12KT4B16
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F3L600R10W4S7F-C22 帶有 TRENCHSTOP? IGBT7 和 CoolSiC? 肖特基二極管和 PressFIT / NTC 的 EasyPACK? 模塊特征? 電氣特性- VCES = 950 V- IC 標(biāo)稱 = 600 A / ICRM = 800 A- CoolSiCTM 肖特基二極管第 5 代- TRENCHSTOPTM IGBT7- Tvj,op = 150C? 機(jī)械特性- CTI >電話咨詢:86-755-83294757
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