商品名稱:碳化硅 MOSFET 單管
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-HDSOP-22
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
IMDQ65R020M2H是一款650V CoolSiC? MOSFET 產(chǎn)品,采用Q-DPAK封裝,具備頂側(cè)冷卻功能??。IMDQ65R020M2H利用頂側(cè)冷卻技術(shù),提供優(yōu)異的散熱性能,有助于減少系統(tǒng)溫度,提高系統(tǒng)穩(wěn)定性和可靠性?。
IMDQ65R020M2H適用于各種電力電子應(yīng)用,包括但不限于:
高效電源轉(zhuǎn)換器
工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備
電動(dòng)汽車和新能源汽車的充電設(shè)施
太陽(yáng)能和風(fēng)能逆變器系統(tǒng)
IMDQ65R020M2H 技術(shù)規(guī)格
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
Id-連續(xù)漏極電流:97 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:24 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 7 V, + 23 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:5.6 V
Qg-柵極電荷:57 nC
工作溫度:- 55°C 至 + 175°C
Pd-功率耗散:394 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時(shí)間:5.6 ns
濕度敏感性:Yes
封裝/箱體:HDSOP-22
產(chǎn)品:SiC MOSFETS
產(chǎn)品類型:SiC MOSFETS
上升時(shí)間:12 ns
晶體管類型:1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:19 ns
典型接通延遲時(shí)間:10.3 ns
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…DD700N22K
DD700N22K是一款 60 mm 整流二極管模塊,采用壓力接觸技術(shù),具有高可靠性和出色的電氣性能,適用于多種工業(yè)和能源應(yīng)用場(chǎng)景。DD600N18K
DD600N18K是一款高性能整流二極管模塊,屬于高壓、大電流的功率二極管。DD600N16K
DD600N16K 整流二極管 60 mm 功率塊 1600 V、600 A 模塊采用高可靠性壓力觸點(diǎn)技術(shù)設(shè)計(jì)和組裝,使用隔離鋁基板。DD560N45K
DD560N45K是一款高性能二極管模塊,屬于高壓、大電流的功率二極管,采用先進(jìn)的封裝技術(shù),確保在高功率應(yīng)用中的穩(wěn)定性和可靠性。CY7S1061GE30-10ZXI
CY7S1061GE30-10ZXI 是一款高性能 CMOS 快速靜態(tài) RAM,按 16 位組織為 1,048,576 字。該器件具有快速存取時(shí)間(10 ns)和獨(dú)特的超低功耗深度睡眠模式。CY7S1061GE30-10ZXI 器件的睡眠模式電流低至 45 A,在行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝選項(xiàng)中結(jié)合了快速和低功耗 SRAM 的最佳特性。該器件…電話咨詢:86-755-83294757
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