商品名稱(chēng):碳化硅 MOSFET 單管
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-HSOF-8
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
IMT65R050M2H是一款CoolSiC? 650V G2碳化硅MOSFET,采用TOLL封裝,導(dǎo)通電阻為50mΩ??。該產(chǎn)品是新一代碳化硅MOSFET,旨在利用高性能技術(shù),克服傳統(tǒng)封裝在熱循環(huán)方面的限制,并優(yōu)化.xt互聯(lián)以降低熱阻抗。
IMT65R050M2H具有出色的性能指標(biāo)(FOMs)、高可靠性和靈活的驅(qū)動(dòng)電壓范圍,且與所有8x8 FETs引腳兼容,改進(jìn)了封裝互聯(lián),適用于需要高效率和高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)景?。
技術(shù)規(guī)格
封裝 / 箱體:HSOF-8
晶體管極性:N-Channel
通道數(shù)量:1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:650 V
Id-連續(xù)漏極電流:48.1 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:62 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:- 7 V, + 23 V
Vgs th-柵源極閾值電壓:5.6 V
Qg-柵極電荷:22 nC
工作溫度:- 55°C 至 + 175°C
Pd-功率耗散:237 W
通道模式:Enhancement
配置:Single
下降時(shí)間:4.4 ns
產(chǎn)品類(lèi)型:SiC MOSFETS
上升時(shí)間:7.6 ns
晶體管類(lèi)型:1 N-Channel
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:13.5 ns
典型接通延遲時(shí)間:8.1 ns
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱(chēng)為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿(mǎn)足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…S6E2H46G0AGB3000A
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IRS2181STRPBF是EiceDRIVER? 600 V 高、低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,典型源電流為 1.9 A,灌電流為 2.3 A,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF屬于EiceDRIVER? 600 V 高壓側(cè)和低壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器 IC,具有典型的 4 A 源電流和 4 A 灌電流,采用 8 引線 SOIC 封裝,適用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 雙通道智能高側(cè)電源開(kāi)關(guān),采用 SIPMOS 技術(shù) 集成 N 溝道垂直功率 MOSFET,適用于 12V 和 24V 接地負(fù)載 的電源管理應(yīng)用。電話咨詢(xún):86-755-83294757
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