商品名稱:STM32H735AGI6
數(shù)據(jù)手冊:STM32H735AGI6.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:169-UFBGA
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1250 件
MCU微控制器IC STM32H735AGI6 32位集成電路芯片
產(chǎn)品介紹
STM32H735AGI6器件基于高性能Arm? Cortex?-M7 32位RISC內(nèi)核,工作頻率高達550 MHz。Cortex?-M7內(nèi)核具有一個浮點單元(FPU),支持Arm?雙精度(符合IEEE 754標(biāo)準(zhǔn))和單精度數(shù)據(jù)處理指令和數(shù)據(jù)類型。Cortex -M7內(nèi)核包括32KB的指令緩存和32KB的數(shù)據(jù)緩存。STM32H735xG器件支持全套DSP指令和內(nèi)存保護單元(MPU),以提高應(yīng)用安全性。
STM32H735AGI6器件集成了高速嵌入式存儲器,具有1 M字節(jié)閃存、高達564 KB的RAM(包括可在ITCM和AXI之間共享的192 KB,外加64 KB專用ITCM,外加128 KB專用AXI,128 K字節(jié)DTCM。48KB AHB和4KB備份RAM),以及連接到APB總線、AHB總線、2x32位多AHB總線矩陣和支持內(nèi)部和外部存儲器訪問的多層AXI互連的大量增強型I/O和外設(shè)。為了提高應(yīng)用的穩(wěn)健性,所有的存儲器都具有錯誤代碼糾正功能(一個錯誤糾正,兩個錯誤檢測)。
Cortex?-M7處理器是一個高效的高性能,其特點是
六級雙發(fā)流水線
動態(tài)分支預(yù)測
帶有L1緩存的哈佛架構(gòu)(32KB的I緩存和32KB的D緩存)
64位AXI接口
64位ITCM接口
2x32位DTCM接口
支持以下內(nèi)存接口
獨立的指令和數(shù)據(jù)總線(哈佛架構(gòu))以優(yōu)化CPU延遲
緊密耦合的內(nèi)存(TCM)接口,設(shè)計用于快速和確定的SRAM訪問
AXI總線接口,優(yōu)化突發(fā)傳輸
專用的低延遲AHB-Lite外圍總線(AHBP),用于連接外圍設(shè)備
應(yīng)用
電機驅(qū)動和應(yīng)用控制
醫(yī)療設(shè)備
工業(yè)應(yīng)用。PLC、變頻器、斷路器
打印機和掃描器
報警系統(tǒng)、可視對講和暖通空調(diào)
家庭音頻設(shè)備
移動應(yīng)用、物聯(lián)網(wǎng)
可穿戴設(shè)備:智能手表
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
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答:可以通過網(wǎng)站上詢價,也可以通過電話以及郵箱咨詢。
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答:可以為個人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
意法半導(dǎo)體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導(dǎo)體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導(dǎo)體有限公司。意法半導(dǎo)體是世界最大的半導(dǎo)體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STGIPNS4C60T-H
STGIPNS4C60T-H是一款緊湊型高性能交流電機驅(qū)動器,采用簡潔卻堅固的設(shè)計。由六個帶續(xù)流二極管的IGBT和三個用于柵極驅(qū)動控制的半橋HVIC組成,具有低電磁干擾(EMI)特征和經(jīng)過優(yōu)化的開關(guān)速度。其特點和主要規(guī)格如下:特點包含用于柵極驅(qū)動控制IC和續(xù)流二極管的IPM 3 A、600…STGY40NC60VD
STGY40NC60VD是一款N溝通 50A-600V的IGBT,適用于需要高電流和高頻率操作的應(yīng)用場景。STGY40NC60VD適用于需要高電流和高頻率操作的應(yīng)用場景,如工業(yè)控制、電機驅(qū)動、電力轉(zhuǎn)換等。STGY40NC60VD的主要規(guī)格如下:IGBT 類型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):600 V電流 - 集電…STGB10NC60HDT4
STGB10NC60HDT4采用先進的PowerMESH技術(shù),確保在開關(guān)性能和低導(dǎo)通狀態(tài)行為之間取得良好的平衡。該技術(shù)使得STGB10NC60HDT4在導(dǎo)通時的電壓降(VCE(sat))較低,且沒有交叉?zhèn)鲗?dǎo)的嫌疑,恢復(fù)特性非常軟且快速?。其技術(shù)規(guī)格和應(yīng)用領(lǐng)域如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:-電壓 - 集射極…STGHU30M65DF2AG
STGHU30M65DF2AG是一款650 V、30 A車規(guī)級溝槽柵場截止低損耗M系列IGBT,其采用先進的專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)開發(fā)。該器件是M系列IGBT的一部分,代表了逆變器系統(tǒng)性能與效率之間的理想平衡,其中低損耗和短路功能至關(guān)重要。此外,它的VCE(sat)正溫度系數(shù)特性和緊密的參數(shù)分布…STGWA60V60DF
STGWA60V60DF是一種使用先進專有溝槽柵場截止結(jié)構(gòu)的IGBT器件,屬于V系列IGBT的一部分?。該器件旨在實現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高非常高頻轉(zhuǎn)換器的效率。其最大結(jié)溫為175C,具有無尾關(guān)斷特性,飽和壓降VCE(sat)在60A時為1.85V(典型值),并且參數(shù)分布緊…STGWA60H65DFB
STGWA60H65DFB是一種650 V、60 A的高速溝槽柵場截止IGBT器件,其采用先進的專有溝柵場運算結(jié)構(gòu)開發(fā),旨在實現(xiàn)傳導(dǎo)和開關(guān)損耗之間的最佳折衷,以提高任何變頻器的效率。其技術(shù)規(guī)格和典型應(yīng)用如下:技術(shù)規(guī)格IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V電流…電話咨詢:86-755-83294757
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