商品名稱:晶體管輸出光耦合器
品牌:Renesas
年份:25+
封裝:LSDIP8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
RV1S2451ACCSP-10YV是一款光耦合隔離器,輸入側包含一個AlGaAs LED,輸出側包含一個NPN硅光電晶體管。RV1S2451ACCSP-10YV是用于爬電距離非常長(15 mm)的高壓系統(tǒng)的高級封裝。該產品適用于要求保證較高隔離度的場合,如1500V光伏系統(tǒng)、690V工業(yè)逆變器等,以減少電路板空間。
主要特性
長爬電距離(最小 15 mm)
高電流傳輸比(CTR = 300 % MIN. @ IF = 50 μA)
工作環(huán)境溫度(最高 115 °C)
高隔離電壓 (BV = 7 500 Vr.m.s.)
壓花膠帶產品:
RV1S2451ACCSP-10Yx#KC0:1000個/卷
無鉛產品
安全標準
UL:UL1577,雙重保護
CSA:CAN/CSA-C22.2 No.62368-1,增強絕緣
VDE:DIN EN 60747-5-5(選件)
應用領域
RV1S2451ACCSP-10YV光耦IC主要用于電源驅動、車載OBC、能源變頻等領域。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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瑞薩科技是世界十大半導體芯片供應商之一,在很多諸如移動通信、汽車電子和PC/AV 等領域獲得了全球最高市場份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領先的科技實現(xiàn)人類的夢想。結合了日立與三菱電機在半導體領域上的豐富經驗和專業(yè)知識,配合全球二萬七千名員工的無限創(chuàng)…
TP65H300G4JSGB
TP65H300G4JSGB是一款 650V 240mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用瑞薩電子第四代平臺構建的常閉器件。該晶體管結合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術,提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4JSGB主要規(guī)格如下:晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極…TP65H300G4LSGB
TP65H300G4LSGB 650V 240mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用瑞薩電子的 Gen IV 平臺構建的常閉器件。TP65H300G4LSGB結合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術,提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4LSGB采用行業(yè)標準的 PQFN88 封裝,具有 Kelvin 源和通用源封裝配置?!?/span>AT25SF2561C-SXUB
AT25SF2561C-SXUB是一款256 Mbit SPI串行閃存,由Renesas生產,支持單/雙/四線I/O、QPI和DTR接口,適用于工業(yè)、消費電子等領域。該器件具有以下特性:通用兼容的引腳排列和命令集標準塊架構支持雙 I/O、四 I/O、QPI 和 XiP 操作高達 133MHz雙倍傳輸速率(DTR)高達 84MHz…AT25SF2561C-MWUB
AT25SF2561C-MWUB是Renesas推出的256Mbit 3V SPI串行閃存,支持單路、雙路、四路 I/O、QPI 和 DTR操作,適用于工業(yè)、消費類和聯(lián)網應用。其技術參數(shù)如下:安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:DFN-8系列:AT25xF2561C存儲容量:256 Mbit電源電壓-最?。?.7 V電源電壓-最大:3.6…AT25QF2561C-SXUB
AT25QF2561C-SXUB 256Mbit串行外設接口(SPI)NOR閃存器件設計用于各種大容量工業(yè)、消費類和聯(lián)網應用。AT25QF2561C-SXUB可用于將從閃存啟動到嵌入式或外部RAM的程序存儲器存儲,和/或用于直接從閃存執(zhí)行(XiP)中執(zhí)行代碼。為了實現(xiàn)快速執(zhí)行,AT25QF2561C-SXUB支持高達13…AT25QF2561C-MWUB
AT25QF2561C-MWUB是一款 256Mbit 串行外設接口(SPI)閃存器件,用于各種大容量工業(yè)、消費電子和連接應用。 它可以儲存從閃存到嵌入式或外部 RAM 的程序內存,和/或直接從閃存執(zhí)行代碼(就地執(zhí)行(XiP))。 為了實現(xiàn)快速執(zhí)行,AT25QF2561C-MWUB支持四通道 SPI 和 QPI 接…電話咨詢:86-755-83294757
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