ZMID5203AE1R是一款具有SENT輸出的電感式位置傳感器IC,用于汽車應用中的絕對旋轉和線性運動傳感。ZMID5203AE1R利用線環(huán)感應和渦流的物理原理來檢測在一組線圈(由一個發(fā)射器線圈和兩個接收器線圈組成)上方滑動或旋轉的金屬目標的位置。這三個線圈通常在印刷電路板 (PCB) 上印刷為銅走線。它們的布置使得發(fā)射器線圈在接收器線圈中感應出次級電壓,該電壓取決于金屬目標在線圈上方的位置。ZMID5203AE1R完全符合汽車標準 AEC-Q100,0 級,環(huán)境溫度高達 150°C。
主要規(guī)格
用于測量:線性,旋轉位置
技術:電感
旋轉角度 - 電氣,機械:0° ~ 360°
線性范圍:-
輸出:SENT
輸出信號:順時針增加
致動器類型:感性目標
線性度:-
電阻容差:-
電壓 - 供電:4.5V ~ 5.5V
安裝類型:表面貼裝型
端接樣式:鷗翼
工作溫度:-40°C ~ 150°C
等級:汽車級
資質:AEC-Q100
封裝/外殼:14-TSSOP
應用場景
ZMID5203AE1R傳感器主要用于汽車領域的絕對旋轉和線性運動傳感,例如電機控制、變速箱位置監(jiān)測等場景。
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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瑞薩科技是世界十大半導體芯片供應商之一,在很多諸如移動通信、汽車電子和PC/AV 等領域獲得了全球最高市場份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領先的科技實現(xiàn)人類的夢想。結合了日立與三菱電機在半導體領域上的豐富經驗和專業(yè)知識,配合全球二萬七千名員工的無限創(chuàng)…
TP65H300G4JSGB
TP65H300G4JSGB是一款 650V 240mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用瑞薩電子第四代平臺構建的常閉器件。該晶體管結合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術,提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4JSGB主要規(guī)格如下:晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極…TP65H300G4LSGB
TP65H300G4LSGB 650V 240mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用瑞薩電子的 Gen IV 平臺構建的常閉器件。TP65H300G4LSGB結合了最先進的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術,提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4LSGB采用行業(yè)標準的 PQFN88 封裝,具有 Kelvin 源和通用源封裝配置?!?/span>AT25SF2561C-SXUB
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AT25SF2561C-MWUB是Renesas推出的256Mbit 3V SPI串行閃存,支持單路、雙路、四路 I/O、QPI 和 DTR操作,適用于工業(yè)、消費類和聯(lián)網(wǎng)應用。其技術參數(shù)如下:安裝風格:SMD/SMT封裝 / 箱體:DFN-8系列:AT25xF2561C存儲容量:256 Mbit電源電壓-最?。?.7 V電源電壓-最大:3.6…AT25QF2561C-SXUB
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AT25QF2561C-MWUB是一款 256Mbit 串行外設接口(SPI)閃存器件,用于各種大容量工業(yè)、消費電子和連接應用。 它可以儲存從閃存到嵌入式或外部 RAM 的程序內存,和/或直接從閃存執(zhí)行代碼(就地執(zhí)行(XiP))。 為了實現(xiàn)快速執(zhí)行,AT25QF2561C-MWUB支持四通道 SPI 和 QPI 接…電話咨詢:86-755-83294757
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