商品名稱(chēng):GaN FET
品牌:Renesas
年份:25+
封裝:8-PQFN
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
TP65H100G4LSGB是 Renesas 推出的650V SuperGaN GaN FET ,采用 Gen IV 技術(shù)平臺(tái),結(jié)合高電壓 GaN HEMT 與低電壓 硅MOSFET ,具備優(yōu)異可靠性及性能。
產(chǎn)品屬性
FET 類(lèi)型:N 通道
技術(shù):GaNFET(氮化鎵)
漏源電壓(Vdss):650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):18.9A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):110 毫歐 @ 12A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):4.1V @ 1.8mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):14.4 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):818 pF @ 400 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):65.8W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類(lèi)型:表面貼裝型
封裝:8-PQFN(8x8)
此外,TP65H100G4LSGB采用動(dòng)態(tài)RDS(on) 效生產(chǎn)測(cè)試,設(shè)計(jì)時(shí)考慮了寬門(mén)限安全裕度,適用于工業(yè)自動(dòng)化、電源管理等場(chǎng)景。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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答:可以為個(gè)人用戶(hù)開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶(hù)開(kāi)具增值稅專(zhuān)用發(fā)票。
瑞薩科技是世界十大半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商之一,在很多諸如移動(dòng)通信、汽車(chē)電子和PC/AV 等領(lǐng)域獲得了全球最高市場(chǎng)份額。瑞薩科技在2003年4月1日正式成立,以領(lǐng)先的科技實(shí)現(xiàn)人類(lèi)的夢(mèng)想。結(jié)合了日立與三菱電機(jī)在半導(dǎo)體領(lǐng)域上的豐富經(jīng)驗(yàn)和專(zhuān)業(yè)知識(shí),配合全球二萬(wàn)七千名員工的無(wú)限創(chuàng)…
TP65H300G4JSGB
TP65H300G4JSGB是一款 650V 240mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用瑞薩電子第四代平臺(tái)構(gòu)建的常閉器件。該晶體管結(jié)合了最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù),提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4JSGB主要規(guī)格如下:晶體管極性:N-Channel通道數(shù)量:1 ChannelVds-漏源極…TP65H300G4LSGB
TP65H300G4LSGB 650V 240mΩ 氮化鎵 (GaN) FET 是使用瑞薩電子的 Gen IV 平臺(tái)構(gòu)建的常閉器件。TP65H300G4LSGB結(jié)合了最先進(jìn)的高壓 GaN HEMT 和低壓硅 MOSFET 技術(shù),提供卓越的可靠性和性能。TP65H300G4LSGB采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 PQFN88 封裝,具有 Kelvin 源和通用源封裝配置?!?/span>AT25SF2561C-SXUB
AT25SF2561C-SXUB是一款256 Mbit SPI串行閃存,由Renesas生產(chǎn),支持單/雙/四線I/O、QPI和DTR接口,適用于工業(yè)、消費(fèi)電子等領(lǐng)域。該器件具有以下特性:通用兼容的引腳排列和命令集標(biāo)準(zhǔn)塊架構(gòu)支持雙 I/O、四 I/O、QPI 和 XiP 操作高達(dá) 133MHz雙倍傳輸速率(DTR)高達(dá) 84MHz…AT25SF2561C-MWUB
AT25SF2561C-MWUB是Renesas推出的256Mbit 3V SPI串行閃存,支持單路、雙路、四路 I/O、QPI 和 DTR操作,適用于工業(yè)、消費(fèi)類(lèi)和聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。其技術(shù)參數(shù)如下:安裝風(fēng)格:SMD/SMT封裝 / 箱體:DFN-8系列:AT25xF2561C存儲(chǔ)容量:256 Mbit電源電壓-最?。?.7 V電源電壓-最大:3.6…AT25QF2561C-SXUB
AT25QF2561C-SXUB 256Mbit串行外設(shè)接口(SPI)NOR閃存器件設(shè)計(jì)用于各種大容量工業(yè)、消費(fèi)類(lèi)和聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用。AT25QF2561C-SXUB可用于將從閃存啟動(dòng)到嵌入式或外部RAM的程序存儲(chǔ)器存儲(chǔ),和/或用于直接從閃存執(zhí)行(XiP)中執(zhí)行代碼。為了實(shí)現(xiàn)快速執(zhí)行,AT25QF2561C-SXUB支持高達(dá)13…AT25QF2561C-MWUB
AT25QF2561C-MWUB是一款 256Mbit 串行外設(shè)接口(SPI)閃存器件,用于各種大容量工業(yè)、消費(fèi)電子和連接應(yīng)用。 它可以?xún)?chǔ)存從閃存到嵌入式或外部 RAM 的程序內(nèi)存,和/或直接從閃存執(zhí)行代碼(就地執(zhí)行(XiP))。 為了實(shí)現(xiàn)快速執(zhí)行,AT25QF2561C-MWUB支持四通道 SPI 和 QPI 接…電話咨詢(xún):86-755-83294757
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