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NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench? MOSFET設計用于處理大電流，這對于直流-直流電源轉換級至關重要。這款40V、207A、單N溝道功率MOSFET具有更低的導通電阻、更高的功率密度以及出色的散熱性能。該屏蔽柵極溝槽設計具有超低柵極電荷和1.3mΩ RDS(on) 。緊湊型3.3mmx3.3mm下源雙冷第二代封裝無鉛、無鹵、無BFR，符合RoHS指令。該NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench MOSFET設計用于為數據中心和云應用提供高效解決方案。

主要規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：207A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1.3 毫歐 @ 24A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 120μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：28 nC @ 6 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3480 pF @ 20 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：107W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：9-WDFN（3.3x3.3）

應用領域

NTTFSSCH1D3N04XL主要用于人工智能數據中心的直流-直流轉換器 （DC/DC），支持多級電壓轉換方案中的大電流處理。

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