商品名稱:碳化硅MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG?LHSOF?4
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:2000 件
CoolSiC? MOSFET 離散型 650 V G2 薄型 TOLL 8x8 器件是利用高性能技術(shù)(如 CoolSiC? G2)的最佳 8x8 解決方案。它突破了標(biāo)準(zhǔn) 8x8 器件在熱循環(huán)方面的限制,并通過(guò)改進(jìn) .XT 互聯(lián)結(jié)構(gòu)降低了熱阻。因此,可以充分利用 SiC 的特性,同時(shí)保持較小的占位面積,這是功率密度提升的下一邏輯步驟。
IMTA65R033M2H 的特點(diǎn)
卓越的性能指標(biāo)(FOM)
同類最佳的RDS(on)
高可靠性和整體質(zhì)量
靈活的驅(qū)動(dòng)電壓范圍
支持單極驅(qū)動(dòng)(VGS(off)=0)
與所有8x8 FET引腳兼容
改進(jìn)的.XT封裝互連
TCoB提升4倍
IMTA65R033M2H的優(yōu)勢(shì)
實(shí)現(xiàn)物料清單(BOM)成本節(jié)約
最大化系統(tǒng)性能與成本效益
最高可靠性與更長(zhǎng)使用壽命
實(shí)現(xiàn)最高效率與功率密度
更小占用空間實(shí)現(xiàn)更高功率密度
最緊湊的子卡設(shè)計(jì)
IMTA65R026M2H的應(yīng)用領(lǐng)域
智能電視的完整系統(tǒng)解決方案
家用電器
微型逆變器解決方案
供暖通風(fēng)與空調(diào)(HVAC)
電源轉(zhuǎn)換
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營(yíng)商品均采自合作的國(guó)內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來(lái)源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營(yíng)代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對(duì)具體品牌型號(hào)來(lái)溝通確認(rèn)。
答:可以通過(guò)網(wǎng)站上詢價(jià),也可以通過(guò)電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉(cāng)庫(kù)、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個(gè)人用戶開(kāi)具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開(kāi)具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IMBG65R026M2H
IMBG65R026M2H 是一款650V,碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管,采用 D2PAK-7(TO-263-7)封裝。產(chǎn)品詳情:型號(hào):IMBG65R026M2H封裝:PG-TO263-7類型:碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管IMBG65R026M2H 產(chǎn)品屬性:系列:CoolSiC?FET 類型:N 通道技術(shù):SiCFET(碳化硅)漏源電壓…IMBG65R010M2H
IMBG65R010M2H:650V,碳化硅 CoolSiC? MOSFET晶體管,PG-TO263-7IMBG65R010M2H——CoolSiC ? MOSFET 650 V、10 mΩ G2 采用 D2PAK-7(TO-263-7)封裝,以第一代技術(shù)的優(yōu)勢(shì)為基礎(chǔ),能夠加速系統(tǒng)設(shè)計(jì),實(shí)現(xiàn)成本更優(yōu)化、更高效、更緊湊、更可靠的解決方案。第二代在硬開(kāi)關(guān)…IMSQ120R053M2HH
IMSQ120R053M2HH CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,53 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 雙半橋封裝,專為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計(jì),包括工業(yè)驅(qū)動(dòng)器、電動(dòng)汽車充電解決方案、太陽(yáng)能系統(tǒng)和不間斷電源。Q-DPAK 通過(guò)實(shí)現(xiàn)更輕松的組裝和卓越的熱性能,為客戶提供更低的系統(tǒng)成本。…IPW60R099CM8
IPW60R099CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進(jìn)一步降低了 12%,反IPZA60R099CM8
IPZA60R099CM8 是一款 600V CoolMOS? 8 N 溝道功率 MOSFET 晶體管。600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET 系列是 600V CoolMOS? 7 MOSFET 家族(包括 P7、S7、CFD7、C7(G7)和 PFD7)的繼任者。與 CFD7 相比,其柵極電荷(Qg)減少了 20%,關(guān)斷損耗(Eoss)進(jìn)一步降低了 12%,反…電話咨詢:86-755-83294757
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