商品名稱:汽車 MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-TDSON-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:5000 件
IPG20N10S4-36A 是一款 100V,OptiMOS?-T2 雙 N 通道汽車MOSFET晶體管,MSL1 最高回流溫度可達(dá) 260°C 峰值。
IPG20N10S4-36A 產(chǎn)品屬性:
系列:OptiMOS?
技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
配置:2 N-通道(雙)
漏源電壓(Vdss):100V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):20A
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):36 毫歐 @ 17A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):3.5V @ 16μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):15nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值):990pF @ 25V
功率 - 最大值:43W
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
IPG20N10S4-36A 產(chǎn)品特性:
雙 N 通道正常電平增強(qiáng)模式
符合 AEC Q101 要求
MSL1 最高回流溫度可達(dá) 260°C 峰值
工作溫度為 175°C
100% Avalanche 測試
自動光學(xué)檢測可行
支持 PPAP 的設(shè)備
IPG20N10S4-36A 產(chǎn)品應(yīng)用:
用于 ADAS 和自動駕駛的域控制器
多用途相機(jī)
智能閉鎖系統(tǒng)
中壓 (MV) 驅(qū)動
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IPP073N13NM6
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IPD30N06S4L-23:60V、OptiMOS ? -T2系列汽車MOSFET晶體管,PG-TO252-3IPD30N06S4L-23 產(chǎn)品特性:N溝道 - 增強(qiáng)模式符合汽車 AEC Q101 標(biāo)準(zhǔn)MSL1 最高回流溫度可達(dá) 260C 峰值工作溫度為 175C100% Avalanche 測試支持 PPAP 的設(shè)備IPD30N06S4L-23 產(chǎn)品優(yōu)勢:最高電流能力最低…IPD50N06S4L-12
汽車MOSFET(IPD50N06S4L-12)60V、OptiMOS ?-T2 功率MOSFET晶體管,PG-TO252-3IPD50N06S4L-12 規(guī)格參數(shù):系列:OptiMOS?FET 類型:N 通道技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)漏源電壓(Vdss):60 V25C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):50A(Tc)驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)…IPG20N06S4L-14
IPG20N06S4L-14【Infineon】60V、OptiMOS?-T2 汽車MOSFET晶體管,PG-TDSON-8以下是關(guān)于 IPG20N06S4L-14 的產(chǎn)品詳情:型號:IPG20N06S4L-14封裝:PG-TDSON-8類型:汽車MOSFET晶體管IPG20N06S4L-14 產(chǎn)品屬性:系列:OptiMOS?-T2ID (@25C) max:20 AIDpuls max:80 APtot …電話咨詢:86-755-83294757
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