商品名稱:碳化硅 MOSFET
品牌:INFINEON
年份:25+
封裝:PG-HDSOP-22
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:2000 件
IMCQ120R078M2H CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,78 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 封裝,專為工業(yè)應用的廣泛使用而設計。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供卓越的熱性能、更簡便的裝配流程及降低系統(tǒng)成本。頂部散熱Q-DPAK單開關器件正引領冷卻技術、能效、設計靈活性及性能的新時代。
IMCQ120R078M2H 的特點
VDSS = 1200 V @Tvj = 25°C
IDDC = 22 A @TC = 100°C
RDS(on) = 78.1 mΩ @VGS = 18 V, Tvj = 25°C
極低的開關損耗
過載運行溫度可達 Tvj = 200°C
短路耐受時間 2 μs
基準柵極閾值電壓
對寄生導通具有抗擾性
適用于硬開關的堅固體二極管
.XT 互連技術
IMCQ120R078M2H 的優(yōu)勢
卓越的熱性能
提高能源效率
更高的功率密度
更緊湊且易于設計的方案
更低的總擁有成本(TCO)或物料清單成本(BOM)
IMCQ120R078M2H的應用領域
電動汽車充電
固態(tài)斷路器
低壓驅(qū)動器
光伏系統(tǒng)
不間斷電源(UPS)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP?AB
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[Infineon] IPB35N10S3L-26:汽車MOSFET——100V,OptiMOS?-T 功率晶體管,PG-TO263-3產(chǎn)品詳情:型號:IPB35N10S3L-26封裝:PG-TO263-3類型:汽車 MOSFET 晶體管IPB35N10S3L-26 規(guī)格參數(shù):產(chǎn)品種類: MOSFET 技術: Si 安裝風格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3)…S25FL128SDSMFBG13
S25FL128SDSMFBG13 是一款 128Mbit NOR 閃存。該設備通過 SPI 接口連接至主機系統(tǒng)。支持傳統(tǒng)的 SPI 單比特串行輸入/輸出(SingleI/O 或 SIO),以及可選的雙比特(Dual I/O 或 DIO)和四比特(Quad I/O 或 QIO)串行命令。S25FL128SDSMFBG13 規(guī)格內(nèi)存類型:非易失性內(nèi)存格…IPB133N12NM6
【IPB133N12NM6】120V,OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 晶體管,正常電平,采用 DPAK 3 引腳封裝。說明:IPB133N12NM6 是 DPAK 3 針封裝的正常級別 120 V MOSFET,導通電阻為 13.3 mOhm。IPB133N12NM6 是英飛凌 OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 系列的一部分。IPB133N12NM6 規(guī)格參數(shù)…IPB120N06S4-03
IPB120N06S4-03:60V、OptiMOS? -T2 汽車 MOSFET 晶體管,PG-TO263-3IPB120N06S4-03 規(guī)格參數(shù):產(chǎn)品種類: MOSFET 技術: Si 安裝風格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3) 晶體管極性: N-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V Id-連續(xù)漏極電流: 1…電話咨詢:86-755-83294757
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