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IPB026N10NF2S 是一款100V，StrongIRFET ? 2 單 N溝道功率 MOSFET晶體管，采用 D2PAK 封裝，產(chǎn)品詳情如下所示：

型號：IPB026N10NF2S

封裝：PG-TO263-3（D2PAK）

類型：N-通道功率MOSFET

應(yīng)用：適用于輕型電動車解決方案

規(guī)格參數(shù)：

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3)

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續(xù)漏極電流: 162 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 2.65 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V

Qg-柵極電荷: 103 nC

最小工作溫度: - 55 ℃

最大工作溫度: + 175 ℃

Pd-功率耗散: 250 W

通道模式: Enhancement

下降時間: 26 ns

正向跨導(dǎo) - 最小值: 104 S

產(chǎn)品類型: MOSFETs

上升時間: 65 ns

典型關(guān)閉延遲時間: 47 ns

典型接通延遲時間: 20 ns

IPB026N10NF2S 產(chǎn)品特性：

卓越的性價比

適用于高和低開關(guān)頻率

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)尺寸封裝

高額定電流

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