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NVB125N65S3——SUPERFET III MOSFET 是 onsemi 的全新高壓超級結(jié) (SJ) MOSFET 系列，采用電荷平衡技術(shù)，具有出色的低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷性能。這種先進的技術(shù)可最大限度地減少傳導(dǎo)損耗，提供卓越的開關(guān)性能，并能承受極高的 dv/dt 速率。

NVB125N65S3（高壓MOSFET）650V，24A，SuperFET? III 汽車 MOSFET 晶體管

型號：NVB125N65S3

封裝：TO-263-3

類型：汽車 MOSFET 晶體管

規(guī)格參數(shù)：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：24A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：125 毫歐 @ 12A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 590μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：46 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1940 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：181W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：TO-263（D2PAK）

封裝/外殼：TO-263-3，D2PAK（2 引線 + 凸片），TO-263AB

NVB125N65S3 應(yīng)用：

車載充電器

用于混合動力汽車的車載 DC/DC 轉(zhuǎn)換器

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