最新資訊概述：THGAMRG8T13BAIL e-MMC? NAND閃存采用比特列堆疊 （BiCS） FLASH 3D 技術(shù)。該閃存為需要以經(jīng)濟(jì)高效的方式存儲(chǔ)更高數(shù)據(jù)量的應(yīng)用提供了最佳解決方案。THGAM eMMC 閃存完全符合多媒體卡協(xié)會(huì)（MMCA）高速內(nèi)存接口標(biāo)準(zhǔn)。這些閃存符合最新的 JEDEC 5.1 版。THGAM eMMC 閃…
概述：
THGAMRG8T13BAIL e-MMC? NAND閃存采用比特列堆疊 （BiCS） FLASH 3D 技術(shù)。該閃存為需要以經(jīng)濟(jì)高效的方式存儲(chǔ)更高數(shù)據(jù)量的應(yīng)用提供了最佳解決方案。THGAM eMMC 閃存完全符合多媒體卡協(xié)會(huì)（MMCA）高速內(nèi)存接口標(biāo)準(zhǔn)。這些閃存符合最新的 JEDEC 5.1 版。
THGAM eMMC 閃存具有集成的內(nèi)存管理功能，包括糾錯(cuò)碼、壞塊管理、磨損均衡和垃圾回收。這些閃存采用 FBGA 封裝和標(biāo)準(zhǔn)（-25°C 至 +85°C）溫度版本。典型應(yīng)用包括消費(fèi)電子、多媒體、智能計(jì)量和智能照明。
特征
32GB 內(nèi)存
BiCS 3D NAND 技術(shù)
多層單元 （MLC） 技術(shù)
符合最新的 JEDEC 5.1 版
集成內(nèi)存管理：
糾錯(cuò)碼
壞塊管理
磨損均衡
垃圾回收
更高的接口速度 HS400，符合 JEDEC 5.1 標(biāo)準(zhǔn)
托管內(nèi)存
將高質(zhì)量 Toshiba MLC NAND 閃存與 Toshiba 原產(chǎn)開發(fā)的控制器相結(jié)合
-25°C 至 +85°C 工作溫度范圍（標(biāo)準(zhǔn)）
FBGA 封裝
應(yīng)用
工業(yè)
消費(fèi)電子產(chǎn)品
多媒體
智能計(jì)量
智能照明
智能應(yīng)用
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