深圳市明佳達(dá)電子有限公司分銷英飛凌【MOSFET晶體管】BSC010N04LST OptiMOS? 5 功率 MOSFET,采用 SuperSO8 封裝。BSC010N04LST 器件描述:BSC010N04LST 是一款高性能 N 通道 MOSFET,采用 TDSON-8-EP(5.1x5.9) 封裝。該芯片具有高耐壓、大電流和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn),適用…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司分銷英飛凌【MOSFET晶體管】BSC010N04LST OptiMOS? 5 功率 MOSFET,采用 SuperSO8 封裝。
BSC010N04LST 器件描述:
BSC010N04LST 是一款高性能 N 通道 MOSFET,采用 TDSON-8-EP(5.1x5.9) 封裝。該芯片具有高耐壓、大電流和低導(dǎo)通電阻的特點(diǎn),適用于各種高功率密度的應(yīng)用場(chǎng)景。
BSC010N04LST 主要特性:
漏源電壓 (Vdss):40V
連續(xù)漏極電流 (Id):100A
導(dǎo)通電阻 (RDS(on)):1mΩ @ 10V, 50A
耗散功率 (Pd):167W
閾值電壓 (Vgs(th)):1.2V @ 250uA
柵極電荷量 (Qg):95nC
輸入電容 (Ciss@Vds):9.52nF @ 20V
反向傳輸電容 (Crss):320pF @ 20V
工作溫度:-55℃ ~ +175℃
封裝:TDSON-8-EP(5.1x5.9)
BSC010N04LST MOSFET晶體管適用于以下領(lǐng)域:
電源管理
電機(jī)驅(qū)動(dòng)
逆變器
電池管理系統(tǒng)
工業(yè)自動(dòng)化
汽車電子
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