歡迎來到深圳市明佳達電子有限公司

ON NVGS3443T1G 4.4A 20V 單 P 溝道功率 MOSFET 晶體管

深圳市明佳達電子有限公司作為全球知名的電子元器件分銷商，現(xiàn)貨供應NVGS3443T1G 4.4A 20V單P溝道功率MOSFET晶體管，廣泛應用于各種電子設備的電源管理系統(tǒng)中。

NVGS3443T1G 的產(chǎn)品說明

NVGS3443T1G 是汽車用 20V、4.4A、65mΩ、單 P 溝道功率 MOSFET 晶體管。NVGS3443T1G 是汽車用 20V、4.4A、65mΩ、單 P 溝道功率 MOSFET 晶體管。

NVGS3443T1G 的規(guī)格

晶體管極性：P 溝道

通道數(shù)：1 通道

Vds - 漏極-源極擊穿電壓：20 V

Id - 持續(xù)漏極電流：4.4 A

Rds On - 漏極-源極電阻：65 mOhms

Vgs - 柵極源極電壓：- 12 V，+ 12 V

Vgs th - 柵極-源極閾值電壓：1.5 V

Qg - 柵極電荷：15 nC

最低工作溫度：- 55 C

最高工作溫度：+ 150 C

Pd - 功率耗散：2 W

通道模式：增強

單位重量：20 毫克

NVGS3443T1G 的主要電氣參數(shù)包括

漏極-源極電壓 (Vdss)： 20V - 這表示 NVGS3443T1G 器件可安全承受的最大漏極至源極電壓

連續(xù)漏極電流 (Id)： 在 25°C 環(huán)境溫度下，NVGS3443T1G 的電流最高可達 3.1A，在某些條件下最高可達 4.4A

導通電阻 (Rds(on))： 在 Vgs=4.5V 和 Id=4.4A 時最大為 65mΩ - 該參數(shù)直接影響器件的傳導損耗。

柵極閾值電壓 (Vgs(th))： 最大 1.5V（Id=250μA 時測得）

柵極電荷 (Qg)： Vgs=4.5V 時最大 15nC - 該參數(shù)會影響器件的開關速度

輸入電容 (Ciss)： Vds=5V 時最大 565pF

NVGS3443T1G MOSFET 的工作溫度范圍很寬，從 -55°C 到 +150°C （結溫），因此能適應各種惡劣的環(huán)境條件。值得注意的是，NVGS3443T1G P 溝道 MOSFET 的導通電阻通常高于同等的 N 溝道器件，這是因為空穴（P 溝道多數(shù)載流子）的電阻高于電子（N 溝道載流子）。這是由于空穴（P 溝道中的多數(shù)載流子）的遷移率低于電子（N 溝道中的多數(shù)載流子）的物理特性造成的。

NVGS3443T1G 的特點

超低 RDS（開）

效率更高，可延長電池壽命

微型 TSOP6 表面貼裝封裝

通過 AEC-Q101 認證和 PPAP 認證

符合 RoHS 規(guī)范

NVGS3443T1G P 溝道 MOSFET 結構特性：

NVGS3443T1G P 溝道功率 MOSFET 的結構通常采用垂直導電設計，以優(yōu)化電流能力和導通電阻。與 N 溝道 LDMOS（橫向雙擴散 MOSFET）不同，功率 P 溝道 MOSFET 通常采用垂直導電結構，但導電類型相反。

在 NVGS3443T1G 中，基本單元結構包括

N 型襯底：作為器件的支撐襯底

P 型外延層：生長在 N 型襯底上，形成漏極區(qū)

N 型體區(qū)域：通過擴散過程在 P 型外延層中形成

P+ 源區(qū)：通過高濃度 P 型摻雜在 N 型體區(qū)內形成

柵極結構：由多晶硅柵極和覆蓋在溝道區(qū)頂部的柵極氧化層組成

這種垂直結構允許電流從頂部的源極垂直流向底部的漏極（通過襯底引線），充分利用了 NVGS3443T1G 芯片的整個橫截面積，從而降低了導通電阻，提高了電流處理能力。

NVGS3443T1G 的應用

便攜式電子設備：包括智能手機、平板電腦、可穿戴設備等，利用其體積小、柵極驅動要求低的優(yōu)勢

電源管理系統(tǒng)：用于電源路徑控制、反向極性保護和 ORing 功能，充分利用 P 溝道 MOSFET 在高端開關中的優(yōu)勢

工業(yè)控制系統(tǒng)：小型電機驅動、繼電器替代和低功率執(zhí)行器控制

消費電子：數(shù)碼相機、便攜式音頻設備和家用電器等的電源開關

汽車電子：為座椅調節(jié)和天窗控制等低功耗汽車應用提供符合標準的版本

NVGS3443T1G 的最終產(chǎn)品

手機和無繩電話

PCMCIA 卡