供應ROHM SiC功率器件：SiC肖特基勢壘二極管、SiC MOSFET、SiC功率模塊深圳市明佳達電子有限公司是一家專注于電子元器件供應鏈服務的綜合性企業(yè)。公司擁有超過100萬種電子元器件的庫存優(yōu)勢型號，能夠快速響應客戶需求；建立了覆蓋深圳、香港等地的倉儲物流網(wǎng)絡，支持&quo…
供應ROHM SiC功率器件：SiC肖特基勢壘二極管、SiC MOSFET、SiC功率模塊
深圳市明佳達電子有限公司是一家專注于電子元器件供應鏈服務的綜合性企業(yè)。公司擁有超過100萬種電子元器件的庫存優(yōu)勢型號，能夠快速響應客戶需求；建立了覆蓋深圳、香港等地的倉儲物流網(wǎng)絡，支持"當日下單、次日發(fā)貨"的高效交付模式。
主要經(jīng)營：集成電路IC、5G芯片、新能源IC、物聯(lián)網(wǎng)芯片、藍牙芯片、汽車芯片、人工智能IC、以太網(wǎng)IC、內(nèi)存芯片、傳感器、IGBT模塊等一系列產(chǎn)品。
ROHM SiC肖特基勢壘二極管(SBD)產(chǎn)品線
碳化硅肖特基勢壘二極管(SiC SBD)作為ROHM SiC功率器件家族的重要成員，以其零反向恢復電流和優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性在高效電源設計中發(fā)揮著關鍵作用。與傳統(tǒng)硅基快恢復二極管(FRD)相比，ROHM SiC SBD在開關損耗和高溫性能方面具有顯著優(yōu)勢，特別適用于高頻開關電源、光伏逆變器和電動汽車車載充電器等應用場景。
ROHM SiC SBD的典型應用包括：
PFC(功率因數(shù)校正)電路：利用SiC SBD的高頻特性，可顯著提升PFC級效率，減少系統(tǒng)體積
太陽能逆變器：在MPPT(最大功率點跟蹤)和DC-AC轉(zhuǎn)換環(huán)節(jié)降低導通損耗
電動汽車OBC(車載充電機)：提高充電效率，減小散熱系統(tǒng)體積和重量
服務器電源：實現(xiàn)鈦金級能效標準，降低數(shù)據(jù)中心運營成本
ROHM SiC MOSFET技術特點與供應優(yōu)勢
ROHM SiC MOSFET代表了功率半導體技術的尖端水平，與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比，ROHM SiC MOSFET具有更低的導通電阻(Rds(on))、更高的開關頻率和優(yōu)異的高溫工作能力，系統(tǒng)效率可提升至98%以上。
SiC MOSFET器件特別適合應用于：
高頻開關電源：支持MHz級開關頻率，大幅減小無源元件體積
工業(yè)電機驅(qū)動：提高能效等級，降低系統(tǒng)運行成本
新能源發(fā)電系統(tǒng)：提升光伏/風電變流器的能源轉(zhuǎn)換效率
激光雷達系統(tǒng)：實現(xiàn)快速精準的功率脈沖控制
ROHM SiC功率模塊的集成化解決方案
對于高功率密度應用場景，ROHM全SiC功率模塊，將多個SiC MOSFET和SiC SBD集成在單一封裝內(nèi)，提供更完整的系統(tǒng)級解決方案。這些模塊采用先進的低電感封裝技術和優(yōu)化的內(nèi)部互連設計，可最大程度發(fā)揮SiC器件的性能優(yōu)勢。
ROHM全SiC功率模塊的主要特點包括：
超高開關速度：減少開關損耗，提升系統(tǒng)效率
高溫工作能力：結(jié)溫耐受達175°C，適應嚴苛環(huán)境
緊湊型設計：功率密度較硅基模塊提高30%以上
簡化系統(tǒng)設計：集成驅(qū)動和保護功能，減少外圍元件
電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務時間：9:00-18:00
聯(lián)系郵箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權歸明佳達電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接:
最新資訊
