深圳市明佳達(dá)電子有限公司 供應(yīng)英飛凌 MOSFET 產(chǎn)品:雙 MOSFET、碳化硅 CoolSiC? MOSFET、MOSFET 模塊深圳市明佳達(dá)電子有限公司作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的電子元器件供應(yīng)商,堅(jiān)持"努力處事、誠(chéng)信待人"的經(jīng)營(yíng)理念,為客戶提供優(yōu)質(zhì)的電子元器件供應(yīng)服務(wù)。主要經(jīng)營(yíng):集成電路…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司 供應(yīng)英飛凌 MOSFET 產(chǎn)品:雙 MOSFET、碳化硅 CoolSiC? MOSFET、MOSFET 模塊
深圳市明佳達(dá)電子有限公司作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的電子元器件供應(yīng)商,堅(jiān)持"努力處事、誠(chéng)信待人"的經(jīng)營(yíng)理念,為客戶提供優(yōu)質(zhì)的電子元器件供應(yīng)服務(wù)。
主要經(jīng)營(yíng):集成電路IC、5G芯片、新能源IC、物聯(lián)網(wǎng)芯片、藍(lán)牙芯片、汽車芯片、人工智能IC、以太網(wǎng)IC、內(nèi)存芯片、傳感器、IGBT模塊等一系列產(chǎn)品。
雙 MOSFET 產(chǎn)品系列
作為一種集成功率器件,雙 MOSFET 在空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景中顯示出獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。英飛凌的雙 MOSFET 產(chǎn)品采用先進(jìn)的封裝技術(shù)和芯片工藝,在同一封裝中集成了兩個(gè)獨(dú)立的 MOSFET,在優(yōu)化系統(tǒng)布局和熱管理性能的同時(shí),顯著減少了 PCB 基底面。
典型應(yīng)用解決方案
同步整流電路: 在直流-直流轉(zhuǎn)換器中,雙 MOSFET 可以完美匹配上下管要求,簡(jiǎn)化布局并提高效率。例如服務(wù)器電源、通信設(shè)備電源和其他高效應(yīng)用。
H 橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器: 用于驅(qū)動(dòng)直流電機(jī)或步進(jìn)電機(jī),雙 MOSFET 集成解決方案大大縮小了驅(qū)動(dòng)板的尺寸,如工業(yè)機(jī)器人、自動(dòng)化設(shè)備中的緊湊型驅(qū)動(dòng)模塊。
電源管理單元 (PMU): 在智能手機(jī)和平板電腦等便攜設(shè)備中,雙 MOSFET 可提供高效的電源轉(zhuǎn)換解決方案,延長(zhǎng)電池壽命。
LED 驅(qū)動(dòng)電路: 支持高頻 PWM 調(diào)光,為商用和汽車照明系統(tǒng)提供精確的亮度控制和高效的能量轉(zhuǎn)換。
碳化硅 CoolSiC? MOSFET 產(chǎn)品
碳化硅 (SiC) 功率器件作為第三代半導(dǎo)體的代表,正在引領(lǐng)電力電子領(lǐng)域的革命性變革。英飛凌 CoolSiC? MOSFET 采用先進(jìn)的溝槽柵技術(shù),與傳統(tǒng)的平柵 SiC MOSFET 相比,導(dǎo)通電阻更低,開關(guān)效率更高。從結(jié)構(gòu)上看,CoolSiC? MOSFET 通過在碳化硅基底上形成高質(zhì)量的柵極氧化物和溝槽區(qū),實(shí)現(xiàn)了出色的柵極控制和載流子遷移率。
典型應(yīng)用解決方案
光伏逆變器: 使用 CoolSiC? MOSFET 的組串逆變器可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 99% 的效率,比傳統(tǒng)的硅基解決方案提高 1.5-2%,同時(shí)尺寸縮小 30%,大大降低了系統(tǒng)生命周期成本。
電動(dòng)汽車電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng): 在 800V 高壓平臺(tái)中采用 CoolSiC? 模塊后,續(xù)航里程增加了 5-8%,充電時(shí)間縮短了 30%,同時(shí)電機(jī)控制器的尺寸縮小了 40%,幫助汽車公司實(shí)現(xiàn)更緊湊的底盤設(shè)計(jì)。
數(shù)據(jù)中心電源: 基于 CoolSiC? 的服務(wù)器電源效率突破 96%,功率密度達(dá)到或超過 100W/in3,大大降低了數(shù)據(jù)中心的能耗和冷卻要求。
快速充電樁: 350kW 大功率充電樁采用 CoolSiC? 解決方案,充電效率超過 95%,體積僅為硅基解決方案的 60%,可靠性顯著提高。
MOSFET 模塊產(chǎn)品
隨著電力電子系統(tǒng)向高功率密度和高可靠性方向發(fā)展,模塊化設(shè)計(jì)已成為功率 MOSFET 應(yīng)用的主流趨勢(shì)。英飛凌的 MOSFET 模塊產(chǎn)品高度集成了多個(gè)功率芯片、驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)功能,為客戶提供 “即插即用 ”的系統(tǒng)級(jí)解決方案,大大縮短了開發(fā)周期,提高了產(chǎn)品性能。
典型應(yīng)用解決方案
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng): 62mm 或 EASY 封裝的三相 MOSFET 模塊采用優(yōu)化的柵極驅(qū)動(dòng)解決方案,可實(shí)現(xiàn) 98% 或更高的逆變器效率,支持 50-100kHz 的開關(guān)頻率,并顯著減小輸出濾波器的尺寸。
新能源汽車: 為主驅(qū)動(dòng)逆變器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和車載充電器 (OBC) 提供符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)的汽車級(jí) MOSFET 模塊,這些模塊集成了電流傳感器和溫度監(jiān)控功能,支持 800V 高壓平臺(tái)。
可再生能源: 用于光伏 (PV) 逆變器的 MOSFET 模塊采用優(yōu)化的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和低損耗封裝,可最大限度地提高 MPPT 效率和系統(tǒng)可靠性,同時(shí)適應(yīng)惡劣的戶外環(huán)境。
不間斷電源 (UPS): 采用數(shù)字控制算法的高頻 MOSFET 模塊實(shí)現(xiàn)了高效率(>96%)和低總諧波失真(<3%),同時(shí)減小了系統(tǒng)尺寸和重量。
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