最新資訊5 月 23 日消息，SK 海力士宣布公司成功開發(fā)出搭載全球最高 321 層 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 閃存的移動(dòng)端解決方案產(chǎn)品 UFS 4.1。SK 海力士表示：“為了在移動(dòng)設(shè)備上實(shí)現(xiàn)端側(cè)（On-device）AI 的穩(wěn)定運(yùn)行，所搭載的 NAND 閃存解決方案產(chǎn)品必…
5 月 23 日消息，SK 海力士宣布公司成功開發(fā)出搭載全球最高 321 層 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND 閃存的移動(dòng)端解決方案產(chǎn)品 UFS 4.1。
SK 海力士表示：“為了在移動(dòng)設(shè)備上實(shí)現(xiàn)端側(cè)（On-device）AI 的穩(wěn)定運(yùn)行，所搭載的 NAND 閃存解決方案產(chǎn)品必須兼具高性能與低功耗特性。依托這款對(duì) AI 工作負(fù)載優(yōu)化的 UFS 4.1 產(chǎn)品，公司將進(jìn)一步鞏固其在旗艦智能手機(jī)市場中的存儲(chǔ)器技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位?！?/span>
據(jù)介紹，隨著端側(cè) AI 的需求持續(xù)增長，終端設(shè)備的計(jì)算性能與電池效率之間的平衡日趨關(guān)鍵，超薄設(shè)計(jì)和低功耗特性已成為移動(dòng)設(shè)備的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
順應(yīng)這一趨勢，公司此次開發(fā)的新品較上一代基于 238 層 NAND 閃存的產(chǎn)品能效提升了 7%。同時(shí)，成功將產(chǎn)品厚度從 1mm 減薄至 0.85mm，使其能夠適配超薄智能手機(jī)。
據(jù)查詢獲悉，該產(chǎn)品支持第四代 UFS 產(chǎn)品的順序讀取峰值，數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá) 4300MB/s。決定移動(dòng)設(shè)備多任務(wù)處理能力的隨機(jī)讀取和寫入速度，相較上一代產(chǎn)品分別提升了 15% 與 40%，達(dá)到現(xiàn)存 UFS 4.1 產(chǎn)品中全球領(lǐng)先水平。
該產(chǎn)品提供 512GB 和 1TB 兩種容量規(guī)格。公司計(jì)劃于今年內(nèi)向客戶交付樣品以進(jìn)行驗(yàn)證流程，并將于明年第一季度正式進(jìn)入量產(chǎn)階段。
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