歡迎來到深圳市明佳達電子有限公司

深圳明佳達電子有限公司 供應 IXYS IXFX230N20T N溝道增強型功率MOSFET晶體管

深圳明佳達電子有限公司作為電子元器件行業(yè)的領(lǐng)先供應商，為客戶提供IXYS IXFX230N20T N溝道增強型功率MOSFET晶體管。IXFX230N20T憑借其卓越的性能參數(shù)和廣泛的應用范圍，已成為電源管理和電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件。

IXFX230N20T產(chǎn)品概述：  

IXFX230N20T是一款高性能功率MOSFET，采用N溝道增強型結(jié)構(gòu)設計，專為高電流和高電壓應用優(yōu)化。該IXFX230N20T器件在TO-247-3封裝中集成了強大的功率處理能力，使其成為工業(yè)電源、電機驅(qū)動和能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的理想選擇。

IXFX230N20T 規(guī)格：  

晶體管極性：N溝道  

通道數(shù)：1通道  

Vds - 漏源擊穿電壓：200 V  

Id - 連續(xù)漏極電流：230 A  

Rds On - 漏源電阻：7.5 mΩ  

Vgs - 柵源電壓：-20 V，+20 V

Vgs th - 柵極-源極閾值電壓：3 V  

Qg - 柵極電荷：358 nC  

最低工作溫度：-55°C  

最高工作溫度：+175°C  

Pd - 功率耗散：1.67 kW  

通道模式：增強模式  

單位重量：6 g

IXFX230N20T 的特點：  

國際標準包裝  

高電流處理能力  

快速內(nèi)部二極管  

雪崩評級  

低 RDS(on)

IXFX230N20T 的關(guān)鍵技術(shù)亮點：

超高的電流承載能力：連續(xù)漏極電流（Id）最高可達 230A（在封裝溫度 Tc 下），使 IXFX230N20T 能夠滿足高功率應用的需求

優(yōu)異的導通狀態(tài)特性：漏極-源極導通電阻（Rds(on)）低至 7.5mΩ，顯著降低導通狀態(tài)損耗并提升系統(tǒng)效率

堅固的電壓規(guī)格：漏源擊穿電壓（Vds）為 200V，柵源電壓（Vgs）范圍為 ±20V，提供寬廣的安全工作區(qū)域

卓越的熱性能：功率耗散（Pd）高達 1.67kW（在 Tc 條件下），支持從 -55°C 到 +175°C 的寬溫度范圍工作環(huán)境

IXFX230N20T采用IXYS專有的HiPerFET技術(shù)平臺，通過優(yōu)化器件結(jié)構(gòu)和材料特性，實現(xiàn)開關(guān)速度、導通電阻與熱穩(wěn)定性之間的最佳平衡。柵極電荷（Qg）為358nC，確?？焖匍_關(guān)過渡，而柵源閾值電壓（Vgs th）為3V，提供卓越的控制靈敏度。

IXFX230N20T 的應用：

憑借卓越的電氣特性，IXFX230N20T 功率 MOSFET 在多個工業(yè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應用潛力：

工業(yè)電源系統(tǒng)：  

高功率開關(guān)電源（SMPS）設計，特別是服務器電源和電信基站電源  

不間斷電源（UPS）系統(tǒng)中的逆變器和整流模塊  

支持高扭矩應用的工業(yè)電機驅(qū)動控制器  

焊接設備和等離子切割機的功率輸出級

新能源與能源轉(zhuǎn)換：  

太陽能逆變器中的直流-交流轉(zhuǎn)換電路  

風力發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)單元  

電池儲能系統(tǒng)（BESS）中的能源管理模塊  

電動汽車充電站中的功率轉(zhuǎn)換級  

其他高性能應用：  

音頻放大器中的輸出級，特別是專業(yè)級高功率放大器  

感應加熱設備中的諧振電路  

脈沖電源系統(tǒng)中的快速開關(guān)應用  

測試和測量設備中的高電流負載開關(guān)  

IXFX230N20T的設計優(yōu)勢：

高效率：低導通電阻和優(yōu)化的開關(guān)特性減少能量損耗，提升整體系統(tǒng)效率

高可靠性：TO-247-3封裝提供卓越的熱性能，結(jié)合寬溫度工作范圍，確保在惡劣環(huán)境中穩(wěn)定運行

設計靈活性：±20V的寬柵極驅(qū)動電壓范圍簡化驅(qū)動電路設計，并兼容各種控制器輸出