最新資訊明佳達(dá)公司供求電源管理LMG3411R150RWHR LMG3411R150 氮化鎵 (GaN) IC，只要原裝正品，如代理商、貿(mào)易商、終端工廠等，散新翻新均不考慮，有滿足以上需求歡迎聯(lián)系我們陳先生QQ1668527835 手機(jī)13410018555 郵箱chen13410018555@qq.com、sales@hkmjd.com！
明佳達(dá)電子供求集成電路 LMG3411R150RWHR LMG3411R150 氮化鎵 (GaN) IC
具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 LMG341xR150 GaN FET 使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，該器件的固有優(yōu)勢(shì)包括超低輸入和輸出電容、零反向恢復(fù)以將開(kāi)關(guān)損耗降低多達(dá) 80%，以及低開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴以降低 EMI。這些優(yōu)勢(shì)支持密集且高效的拓?fù)洌鐖D騰柱 PFC。
LMG341xR150 通過(guò)集成一組獨(dú)特的功能來(lái)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、最大限度地提高可靠性并優(yōu)化任何電源的性能，為傳統(tǒng)的共源共柵 GaN 和獨(dú)立 GaN FET 提供了一種智能替代方案。集成式柵極驅(qū)動(dòng)可實(shí)現(xiàn) 100 V/ns 開(kāi)關(guān)，V DS振鈴接近于零，小于 100 ns 的限流響應(yīng)可自我保護(hù)以防止意外擊穿事件，過(guò)熱關(guān)斷可防止熱失控，系統(tǒng)接口信號(hào)提供自我監(jiān)控能力。
供應(yīng)型號(hào)：LMG3411R150RWHR
批號(hào)：最新21+
封裝：VQFN32
描述 ：具有集成驅(qū)動(dòng)器和逐周期過(guò)流保護(hù)的 600V 150mΩ GaN
屬性：
開(kāi)關(guān)類型：負(fù)載開(kāi)關(guān)
輸出數(shù)：1
比率 - 輸入:輸出1：1
輸出配置：高端
輸出類型：N 通道
接口：邏輯，PWM
電壓 - 負(fù)載：480V（最大）
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd)：9.5V ~ 18V
電流 - 輸出（最大值）：6A
導(dǎo)通電阻（典型值）：150 毫歐
輸入類型：非反相
特性：自舉電路，5V 穩(wěn)壓輸出
故障：保護(hù)過(guò)流，超溫，UVLO
工作溫度：-40°C ~ 125°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝：32-VQFN（8x8）
封裝/外殼：32-VQFN 裸露焊盤
基本產(chǎn)品編號(hào)：LMG3411R150
回收電源管理LMG3411R150RWHR LMG3411R150 氮化鎵 (GaN) IC，只要原裝正品，如代理商、貿(mào)易商、終端工廠等，散新翻新均不考慮，有滿足以上需求歡迎聯(lián)系我們陳先生QQ1668527835 手機(jī)13410018555 郵箱chen13410018555@qq.com/sales@hkmjd.com！
公司還收購(gòu)電子呆料庫(kù)存：電子元器件、5G模組、新能源模組、5G芯片、基站IC、人工智能IC、網(wǎng)絡(luò)IC、藍(lán)牙IC、手機(jī)IC、汽車IC、通信IC、家電IC、電源IC、驅(qū)動(dòng)IC、物聯(lián)網(wǎng)IC和模組芯片、連接器、射頻模塊、存儲(chǔ)器、繼電器、MOS管、單片機(jī)、二三級(jí)管等產(chǎn)品。
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