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最新資訊9 月 12 日消息，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，晶圓代工廠臺(tái)積電 2nm 制程將于 2025 年量產(chǎn)，市場(chǎng)看好進(jìn)度可望領(lǐng)先對(duì)手三星及英特爾。
9 月 12 日消息，據(jù)臺(tái)媒《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，晶圓代工廠臺(tái)積電 2nm 制程將于 2025 年量產(chǎn)，市場(chǎng)看好進(jìn)度可望領(lǐng)先對(duì)手三星及英特爾。
臺(tái)積電先進(jìn)制程進(jìn)展順利，3nm 將在今年下半年量產(chǎn)，升級(jí)版 3nm（N3E）制程將于 3nm 量產(chǎn)一年后量產(chǎn)，即 2023 年量產(chǎn)，2nm 預(yù)計(jì)于 2025 年量產(chǎn)。
臺(tái)積電 2nm 廠將落地竹科寶山二期擴(kuò)建計(jì)劃，“竹科管理局”已展開(kāi)公共設(shè)施建設(shè)，臺(tái)積電 2nm 廠也開(kāi)始進(jìn)行整地作業(yè)。
臺(tái)積電 2nm 首次采用納米片架構(gòu)，相較 N3E 制程，在相同功耗下頻率可提升 10% 至 15%。在相同頻率下，功耗降低 25% 至 30%。
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