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英飛凌推出首款符合太空標(biāo)準(zhǔn)的并行接口1 Mb和2 Mb F-RAM

來源：本站時間：2024-07-16瀏覽數(shù)：

太空應(yīng)用是英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的一個重要領(lǐng)域。英飛凌的產(chǎn)品被用于衛(wèi)星、火星探測器儀器、太空望遠(yuǎn)鏡等，即便在極端惡劣的條件下，這些應(yīng)用也必須具備出色的可靠性。全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌近日推出業(yè)界首款抗輻射（rad hard）1 Mb和2 Mb并行接口鐵電RAM（F-RAM）非易失性存儲器。這款存儲器是英飛凌豐富存儲器產(chǎn)品組合中的新成員，其特點(diǎn)是具有出色的可靠性和耐用性，在85攝氏度條件下的數(shù)據(jù)保存期長達(dá) 120 年，并且能以總線速度進(jìn)行隨機(jī)存取和全存儲器寫入。

英飛凌F-RAM存儲器具有固有的抗輻射性能，該技術(shù)非常適合滿足太空應(yīng)用不斷發(fā)展的任務(wù)要求，而這些應(yīng)用歷來使用的是速度較慢、不太堅固的EEPROM非易失性存儲器。與同類產(chǎn)品相比，英飛凌產(chǎn)品的特點(diǎn)包括：更快的存儲器隨機(jī)存取速度；通過采用即時非易失性寫入技術(shù)提高數(shù)據(jù)安全性；低功耗、極低的編程電壓（低至2V）以及20 mA最大工作電流。

英飛凌科技航空航天與國防業(yè)務(wù)副總裁兼研究員Helmut Puchner表示：“隨著越來越多的太空應(yīng)用被設(shè)計成在系統(tǒng)端處理數(shù)據(jù)，而不是通過遙測技術(shù)將數(shù)據(jù)傳輸?shù)降孛孢M(jìn)行處理，因此對高可靠性非易失性存儲器的需求會不斷增加，以配合太空級處理器與FPGA實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)記錄應(yīng)用。英飛凌于2022年在該市場推出了首款SPI F-RAM存儲器。此次推出并行接口存儲器體現(xiàn)了我們致力于為新一代太空需求提供一流的、高度可靠且靈活的解決方案。”

英飛凌抗輻射F-RAM存儲器的目標(biāo)應(yīng)用包括傳感器與儀器的數(shù)據(jù)存儲、校準(zhǔn)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)記錄、適用于數(shù)據(jù)加密的安全密鑰存儲，以及啟動代碼存儲等。除外太空應(yīng)用，這款存儲器還適用于航空電子等應(yīng)用的溫度要求（-55°C 至 125°C）。

與SPI版本一樣，英飛凌新推出的并行接口F-RAM存儲器通過其化學(xué)成分獲得了出色的非易失性存儲器特性，例如用原子態(tài)瞬時切換取代了EEPROM技術(shù)中的捕獲電荷至程序位。F-RAM本身不受軟錯誤、磁場或輻射效應(yīng)影響，且無需軟件來管理頁面邊界。其接近無限的耐用性（1013個寫入周期）意味著不需要損耗均衡。

該并行存儲器采用44引線陶瓷TSOP封裝并且通過QML-V認(rèn)證，具有出色的抗輻射性能：

? TID：>150 Krad（硅）

? SEL：>96 MeV·cm 2/mg @115°C

? SEU：免疫

? SEFI：<1.34 * 10-4 每日誤差/偏差（激活/待機(jī)）/免疫（睡眠模式）

供貨情況

抗輻射F-RAM非易失性存儲器產(chǎn)品組合現(xiàn)已全面上市，包括2 Mb SPI存儲器以及1 Mb和2 Mb并行存儲器。了解更多信息，敬請訪問 www.infineon.com/1and2MbFRAM。

公司主頁：m.sacramento-placer.com

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