深圳市明佳達電子有限公司全新原裝出售碳化硅MOSFET C2M0280120D 碳化硅功率 MOSFET C2MTM MOSFET 技術 N 溝道增強模式優(yōu)勢? 系統(tǒng)效率更高? 降低冷卻要求? 提高功率密度? 提高系統(tǒng)開關頻率產(chǎn)品屬性（C2M0280120D）制造商: Wolfspeed 產(chǎn)品種類: 碳化硅MOSFET 通道模
深圳市明佳達電子有限公司全新原裝出售碳化硅MOSFET C2M0280120D 碳化硅功率 MOSFET C2MTM MOSFET 技術 N 溝道增強模式
優(yōu)勢
? 系統(tǒng)效率更高
? 降低冷卻要求
? 提高功率密度
? 提高系統(tǒng)開關頻率
應用領域
? 太陽能逆變器和儲能
? 車載和快速直流電動汽車充電系統(tǒng)
? 電機控制和驅動
? 焊接和感應加熱
? 輔助電源
? 高壓DC/DC轉換器
產(chǎn)品屬性（C2M0280120D）
制造商: Wolfspeed
產(chǎn)品種類: 碳化硅MOSFET
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降時間: 9.9 ns
正向跨導 - 最小值: 2.8 S
Id-連續(xù)漏極電流: 10 A
最大工作溫度: + 150 C
最小工作溫度: - 55 C
安裝風格: Through Hole
通道數(shù)量: 1 Channel
封裝 / 箱體: TO-247-3
Pd-功率耗散: 62.5 W
產(chǎn)品類型: SiC MOSFETS
Qg-柵極電荷: 5.6 nC
Rds On-漏源導通電阻: 280 mOhms
上升時間: 7.6 ns
工廠包裝數(shù)量: 30
技術: SiC
商標名: Z-FET
晶體管極性: N-Channel
典型關閉延遲時間: 10.8 ns
典型接通延遲時間: 5.2 ns
Vds-漏源極擊穿電壓: 1.2 kV
Vgs - 柵極-源極電壓: - 10 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.8 V
單位重量: 6 g
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