最新資訊產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo QPD2060D 600m 分立式GaAs pHEMT（假晶高電子遷移率晶體管）的工作頻率范圍為直流至20GHz。通常情況下，8的輸出功率為2dBm（P1dB時(shí)），增益為12dB，功率附加效率為55%（1dB壓縮時(shí)）。得益于該性能，QPD2060D適合用于高效率應(yīng)用。QPD2060D設(shè)計(jì)采用0.25m功率…
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
Qorvo QPD2060D 600μm 分立式GaAs pHEMT（假晶高電子遷移率晶體管）的工作頻率范圍為直流至20GHz。通常情況下，8的輸出功率為2dBm（P1dB時(shí)），增益為12dB，功率附加效率為55%（1dB壓縮時(shí)）。得益于該性能，QPD2060D適合用于高效率應(yīng)用。
QPD2060D設(shè)計(jì)采用0.25μm功率pHEMT生產(chǎn)工藝。該工藝在高漏極偏置工作條件下通過先進(jìn)的技術(shù)優(yōu)化微波功率和效率。
QPD2060D GaAs pHEMT采用0.41mm x 0.34mm x 0.10mm裸片。該器件采用帶氮化硅的保護(hù)層，可提供環(huán)境穩(wěn)健性和防刮痕保護(hù)。
產(chǎn)品特征
頻率范圍：直流至20GHz
P1dB輸出功率：28dBm（典型值）
增益：12dB（12GHz時(shí)典型值）
PAE：55%（12GHz時(shí)典型值）
噪聲系數(shù)：1.4dB（12GHz時(shí)典型值）
漏極電壓：8V
漏極電流：97mA
0.25μm GaAs pHEMT技術(shù)
裸片尺寸：0.41mm x 0.34mm x 0.10mm
無(wú)鹵、無(wú)鉛、符合RoHS指令
產(chǎn)品應(yīng)用：
? 通信
? 雷達(dá)
? 點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線電
? 衛(wèi)星通信
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