三星電子近日宣布其業(yè)內(nèi)最薄的12納米(nm)級LPDDR5X DRAM(內(nèi)存)開始量產(chǎn),支持12GB和16GB容量。這將進一步鞏固三星在低功耗內(nèi)存市場的地位。憑借在芯片封裝領域豐富的技術經(jīng)驗,三星可提供超薄的LPDDR5X DRAM封裝,使移動設備內(nèi)有多余的空間,促進空氣流動。散熱控制能力…
三星電子近日宣布其業(yè)內(nèi)最薄的12納米(nm)級LPDDR5X DRAM(內(nèi)存)開始量產(chǎn),支持12GB和16GB容量。這將進一步鞏固三星在低功耗內(nèi)存市場的地位。
憑借在芯片封裝領域豐富的技術經(jīng)驗,三星可提供超薄的LPDDR5X DRAM封裝,使移動設備內(nèi)有多余的空間,促進空氣流動。散熱控制能力因此得到提升,這一屬性對于像端側(cè)人工智能類具有復雜功能的高性能應用尤為關鍵。
三星電子存儲器產(chǎn)品企劃團隊執(zhí)行副總裁YongCheol Bae表示:
LPDDR5X DRAM在具備卓越的移動端低功耗性能的同時,還能在超輕薄的封裝中提供先進的熱管理功能,為高性能端側(cè)AI解決方案樹立了新標準。三星將持之以恒地與客戶密切合作,不斷創(chuàng)新,提供能夠滿足符合時代的低功耗DRAM解決方案。
憑借LPDDR5X DRAM的封裝技術,三星提供了其業(yè)內(nèi)最薄,采用四層堆疊結(jié)構(gòu)的12納米級LPDDR DRAM。與上一代產(chǎn)品相比,厚度降低約9%,耐熱性能提升約21.2%。
通過采用更先進的印刷電路板(PCB)和環(huán)氧樹脂模塑料(EMC)工藝,新一代LPDDR DRAM的封裝厚度僅0.65毫米(mm),薄如指甲,超過之前所有12GB及以上容量的LPDDR DRAM。此外,三星優(yōu)化了背面研磨工藝,進一步壓縮了封裝厚度。
三星計劃通過向移動處理器生產(chǎn)商,和移動設備制造商供應0.65mm的LPDDR5X DRAM芯片,繼續(xù)擴大低功耗DRAM的市場。隨著市場對高性能、高密度且封裝尺寸更小的移動存儲解決方案的需求持續(xù)增長,三星計劃開發(fā)6層24GB和8層32GB的模組,為未來設備打造超薄的LPDDR DRAM封裝。
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