最新資訊深圳市明佳達(dá)電子供應(yīng) 英飛凌 FF8MR12W1M1HS4PB11 碳化硅 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊產(chǎn)品描述FF8MR12W1M1HS4PB11 是 EasyDUAL? 2B CoolSiC? MOSFET 半橋模塊，電壓為 1200 V，G1 為 8 mΩ，集成了 NTC 溫度傳感器、PressFIT 觸點(diǎn)技術(shù)和氮化鋁陶瓷。特點(diǎn)同類最佳，高度為…
深圳市明佳達(dá)電子供應(yīng) 英飛凌 FF8MR12W1M1HS4PB11 碳化硅 CoolSiC? MOSFET 半橋模塊
產(chǎn)品描述
FF8MR12W1M1HS4PB11 是 EasyDUAL? 2B CoolSiC? MOSFET 半橋模塊，電壓為 1200 V，G1 為 8 mΩ，集成了 NTC 溫度傳感器、PressFIT 觸點(diǎn)技術(shù)和氮化鋁陶瓷。
特點(diǎn)
同類最佳，高度為 12.25 毫米
領(lǐng)先的 WBG 材料
極低的模塊雜散電感
增強(qiáng)型 CoolSiC? 第一代 MOSFET
采用增強(qiáng)型 1 溝道技術(shù)
更大的柵極驅(qū)動(dòng)電壓窗口
電壓窗口為 15 至 18 V 和 0 至 -5 V
擴(kuò)展的最大柵極-源極電壓
柵極-源極電壓為 +23 V 和 -10 V
Tvjop：過載條件高達(dá) 175°C
集成 NTC 溫度傳感器
優(yōu)勢(shì)
出色的模塊效率
系統(tǒng)成本優(yōu)勢(shì)
提高系統(tǒng)效率
降低冷卻要求
實(shí)現(xiàn)更高頻率
提高功率密度
DCB 材料的導(dǎo)熱性
應(yīng)用
儲(chǔ)能系統(tǒng)
電動(dòng)汽車充電
燃料電池 DC-DC 升壓轉(zhuǎn)換器
光伏
不間斷電源 (UPS)
電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時(shí)間：9:00-18:00
聯(lián)系郵箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達(dá)電子公司所有 粵ICP備05062024號(hào)-12
官方二維碼
友情鏈接:
