明佳達(dá)電子【供應(yīng)】英飛凌碳化硅SiC FF17MR12W1M1HPB11 集成 CoolSiC? MOSFET 的半橋 1200V 模塊描述:FF17MR12W1M1HPB11EasyDUAL? 1B 1200 V, 33 mΩ 半橋模塊采用了第一代增強(qiáng)型CoolSiC? MOSFET 、集成式NTC 溫度傳感器、預(yù)涂熱界面材料和 PressFIT 壓接技術(shù)。特征:…
明佳達(dá)電子【供應(yīng)】英飛凌碳化硅SiC FF17MR12W1M1HPB11 集成 CoolSiC? MOSFET 的半橋 1200V 模塊
EasyDUAL? 1B 1200 V, 33 mΩ 半橋模塊采用了第一代增強(qiáng)型CoolSiC? MOSFET 、集成式NTC 溫度傳感器、預(yù)涂熱界面材料和 PressFIT 壓接技術(shù)。
12 毫米高的同類最佳封裝
將領(lǐng)先寬禁帶材料與 Easy 模塊封裝相結(jié)合
模塊雜散電感極低
較寬的反偏安全工作區(qū) (RBSOA)
采用第一代增強(qiáng)型溝槽技術(shù)的1200 V CoolSiC? MOSFET
建議柵極驅(qū)動(dòng)電壓窗口增大:從 +15 擴(kuò)展至 +18 V,從 0 V 擴(kuò)展至 -5 V
擴(kuò)展的最大柵-源電壓:+23 V 和 -10 V
過(guò)載條件下工作結(jié)溫 Tvjop 高達(dá) 175°C
PressFIT 引腳
集成 NTC 溫度傳感器
熱界面材料
規(guī)格:FF17MR12W1M1HPB11
系列: CoolSiC?
包裝: 托盤
零件狀態(tài): 在售
技術(shù): 碳化硅(SiC)
漏源電壓(Vdss): 1200V(1.2kV)
安裝類型: 底座安裝
封裝/外殼: 模塊
供應(yīng)商器件封裝: AG-EASY1B
應(yīng)用
高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用
DC/DC 變換器
UPS 系統(tǒng)
電動(dòng)車直流充電
圖表
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