深圳市明佳達電子有限公司供應(yīng) INFINEON S26HS512TGABHI003 高密度 SEMPER? NOR 閃存 ICS26HS512TGABHI003 的產(chǎn)品說明S26HS512TGABHI003 是英飛凌 SEMPER? NOR 閃存系列的成員,密度高達 512 Mbit。該器件在 HYPERBUS 接口上工作,帶寬為 400 MByte/s,工作電壓為 1.8 …
深圳市明佳達電子有限公司供應(yīng) INFINEON S26HS512TGABHI003 高密度 SEMPER? NOR 閃存 IC
S26HS512TGABHI003 的產(chǎn)品說明
S26HS512TGABHI003 是英飛凌 SEMPER? NOR 閃存系列的成員,密度高達 512 Mbit。該器件在 HYPERBUS 接口上工作,帶寬為 400 MByte/s,工作電壓為 1.8 V,接口頻率高達 200 MHz (DDR),采用堅固的英飛凌 PG-BGA-24 封裝。
英飛凌 SEMPER? 閃存系列產(chǎn)品是高速 CMOS、MIRRORBIT? NOR 閃存器件,兼容 JEDEC JESD251 eXpanded SPI (xSPI) 規(guī)范。SEMPER? 閃存專為功能安全而設(shè)計,其開發(fā)符合 ISO 26262 標準,可實現(xiàn) ASIL-B 合規(guī)性和 ASIL-D 就緒性。
S26HS512TGABHI003 參數(shù)
密度:512 MBit
系列:HS-T
接口帶寬:400 MByte/s
接口頻率:200 MHz
接口:HYPERBUS
引腳球表面處理:錫/銀/銅
工作溫度:-40 °C - 85 °C
工作電壓:1.8 V 1.7 V 2 V
峰值回流焊溫度:260 °C
英飛凌 45 納米 MIRRORBIT? 技術(shù),在每個存儲器陣列單元中存儲兩個數(shù)據(jù)位
扇區(qū)架構(gòu)選項
256 或 512 字節(jié)的頁面編程緩沖區(qū)
1024 字節(jié)(32 × 32 字節(jié))的 OTP 安全硅區(qū) (SSR)
HYPERBUS? 接口
帶有 HYPERBUS? 接口的 SEMPER? 閃存支持傳統(tǒng) SPI (x1) 或 HYPERBUS? 接口 (x8) 默認啟動
自動啟動功能可在上電后立即訪問存儲器陣列
通過 CS# 信號方法(JEDEC)和單獨的 RESET# 引腳進行硬件復(fù)位
描述器件功能和特性的串行閃存可發(fā)現(xiàn)參數(shù) (SFDP)
設(shè)備標識、制造商標識和唯一標識
電話咨詢:86-755-83294757
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