最新資訊臺(tái)積電今天將在臺(tái)南科學(xué)園區(qū)舉辦 3 納米量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮，正式宣布啟動(dòng) 3 納米大規(guī)模生產(chǎn)。
12 月 29 日消息，臺(tái)積電今天將在臺(tái)南科學(xué)園區(qū)舉辦 3 納米量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮，正式宣布啟動(dòng) 3 納米大規(guī)模生產(chǎn)。董事長以及逾 200 供應(yīng)商與伙伴出席。據(jù)悉，臺(tái)積電的南科芯片 18 廠是 5 納米及 3 納米的生產(chǎn)基地，其中，芯片 18 廠 5 期至 9 期廠房是 3 納米生產(chǎn)基地。
新年伊始，臺(tái)積電將采用產(chǎn)能有限的 N3 節(jié)點(diǎn)工藝，然后在 2023 年晚些時(shí)候轉(zhuǎn)向更穩(wěn)定、更高效的全面生產(chǎn)的 N3E，隨后在 2024 年轉(zhuǎn)向 N3P，這一年臺(tái)積電還將在新竹工廠將其 2 納米 GAA 工藝投入試生產(chǎn)，并在 2025 年進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。
在此前多個(gè)季度的財(cái)報(bào)分析師電話會(huì)議上，臺(tái)積電 CEO 曾表示，他們在按計(jì)劃推進(jìn) 3nm 制程工藝以可觀的良品率在下半年量產(chǎn)，在高性能計(jì)算和智能手機(jī)應(yīng)用的推動(dòng)下，預(yù)計(jì)產(chǎn)量在 2023 年將平穩(wěn)提升。
臺(tái)積電在官網(wǎng)公布的信息顯示，他們的 3nm 制程工藝，是 5nm 之后的另一個(gè)全世代制程，具備最佳的 PPA 及電晶體技術(shù)。同 5nm 制程工藝相比，3nm 制程工藝的邏輯密度將增加約 70%，在相同功耗下速度提升 10-15%，或者在相同速度下功耗降低 25-30%。
據(jù)了解，三星于 6 月開始制造 3 納米半導(dǎo)體，并準(zhǔn)備在 2024 年推出更節(jié)能的 3 納米節(jié)點(diǎn)。該公司的芯片將被用于 Nvidia 顯卡、高通移動(dòng)處理器、IBM CPU 和百度云服務(wù)器芯片。目前，三星在全球半導(dǎo)體市場份額方面遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于臺(tái)積電，位居第二。
時(shí)間：2025-04-22
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