商品名稱:IMYH200R024M1HXKSA1
數(shù)據(jù)手冊(cè):IMYH200R024M1HXKSA1.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封裝:TO-247-4
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:1000 件
IMYH200R024M1HXKSA1是溝槽式MOSFET,采用TO-247PLUS-4-HCC封裝。這些MOSFET設(shè)計(jì)用于在不影響系統(tǒng)可靠性的情況下提供更高功率密度,即使在苛刻的高壓和開(kāi)關(guān)頻率條件下也是如此。CoolSiC?技術(shù)具有低功耗,采用.XT互連技術(shù),可靠性極高,可在各種應(yīng)用中提高效率。2000V MOSFET具有4.5V基準(zhǔn)柵極閾值電壓,開(kāi)關(guān)損耗非常低。典型應(yīng)用包括儲(chǔ)能系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電、燈串逆變器和太陽(yáng)能優(yōu)化器。
產(chǎn)品屬性
FET 類型:N 通道
技術(shù):SiC(碳化硅結(jié)晶體管)
漏源電壓(Vdss):2000 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id):89A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):15V,18V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值):33 毫歐 @ 40A,18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值):5.5V @ 24mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值):137 nC @ 18 V
Vgs(最大值):+20V,-7V
功率耗散(最大值):576W(Tc)
工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安裝類型:通孔
供應(yīng)商器件封裝:PG-TO247-4-U04
封裝/外殼:TO-247-4
應(yīng)用
● 儲(chǔ)能系統(tǒng)
● EV充電
● 組列逆變器
● 太陽(yáng)能電源優(yōu)化器
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫(kù)存流動(dòng)性比較大,目前還無(wú)法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國(guó)慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門(mén)子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門(mén),于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國(guó)Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會(huì)的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IPB35N10S3L-26
[Infineon] IPB35N10S3L-26:汽車MOSFET——100V,OptiMOS?-T 功率晶體管,PG-TO263-3產(chǎn)品詳情:型號(hào):IPB35N10S3L-26封裝:PG-TO263-3類型:汽車 MOSFET 晶體管IPB35N10S3L-26 規(guī)格參數(shù):產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3)…IPB133N12NM6
【IPB133N12NM6】120V,OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 晶體管,正常電平,采用 DPAK 3 引腳封裝。說(shuō)明:IPB133N12NM6 是 DPAK 3 針?lè)庋b的正常級(jí)別 120 V MOSFET,導(dǎo)通電阻為 13.3 mOhm。IPB133N12NM6 是英飛凌 OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 系列的一部分。IPB133N12NM6 規(guī)格參數(shù)…IPB120N06S4-03
IPB120N06S4-03:60V、OptiMOS? -T2 汽車 MOSFET 晶體管,PG-TO263-3IPB120N06S4-03 規(guī)格參數(shù):產(chǎn)品種類: MOSFET 技術(shù): Si 安裝風(fēng)格: SMD/SMT 封裝 / 箱體: D2PAK-3 (TO-263-3) 晶體管極性: N-Channel 通道數(shù)量: 1 Channel Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V Id-連續(xù)漏極電流: 1…IMCQ120R078M2H
IMCQ120R078M2H CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,78 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 封裝,專為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計(jì)。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供卓越的熱性能、更簡(jiǎn)便的裝配流程及降低系統(tǒng)成本。頂部散熱Q-DPAK單開(kāi)關(guān)器件正引領(lǐng)冷卻技術(shù)、能效、設(shè)計(jì)靈活性及性能的…IMCQ120R007M2H
IMCQ120R007M2H CoolSiC? MOSFET 離散型 1200 V,7 mΩ G2,采用頂部散熱 Q-DPAK 封裝,專為工業(yè)應(yīng)用的廣泛使用而設(shè)計(jì)。Q-DPAK封裝解決方案為客戶提供卓越的熱性能、更簡(jiǎn)便的裝配流程及降低系統(tǒng)成本。頂部散熱Q-DPAK單開(kāi)關(guān)器件正引領(lǐng)冷卻技術(shù)、能效、設(shè)計(jì)靈活性及性能的…電話咨詢:86-755-83294757
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