商品名稱:LV8968BBUWR2G
數(shù)據(jù)手冊:LV8968BBUWR2G.PDF
品牌:ON
年份:23+
封裝:48-LQFP
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:3690 件
LV8968BBUWR2G是一款適用于汽車應(yīng)用的多用途三相 BLDC 前置驅(qū)動器,其開發(fā)符合 ISO 26262 標(biāo)準(zhǔn)。 這款三相外設(shè)前置驅(qū)動器提供 BEMF(反向電動勢)輸出,寬工作電壓范圍和 AEC-Q100 認(rèn)證使其成為汽車應(yīng)用的理想之選。六個(gè)柵極驅(qū)動器為外部電源橋提供 400 mA(典型值)柵極電流,允許使用低電阻功率 FET 和邏輯電平 FET。所有 FET 都具有過流、短路、過熱和柵極欠壓保護(hù)功能。多種保護(hù)和監(jiān)控功能使該器件適用于有功能安全(FuSa)要求的應(yīng)用。三個(gè)獨(dú)立的低端源引腳允許進(jìn)行多種分流測量,以適應(yīng)外部 FOC(現(xiàn)場導(dǎo)向控制)選項(xiàng)。
該器件還包括一個(gè)可編程線性穩(wěn)壓器、一個(gè)快速電流檢測放大器以及一個(gè)用于微控制器和 FOC 支持的窗口看門狗。通過 SPI 接口可進(jìn)行實(shí)時(shí)參數(shù)設(shè)置和診斷。關(guān)鍵系統(tǒng)參數(shù)可編程到非易失性 OTP 存儲器中。
LV8968BBUWR2G的結(jié)溫耐受性高達(dá) 175°C,并可通過寬電平 WAKE 和 PWM 信號進(jìn)行控制,是各種 ISO 26262 相關(guān)執(zhí)行器、風(fēng)扇和泵的理想電機(jī)前置驅(qū)動器。
產(chǎn)品屬性
電機(jī)類型 - 步進(jìn): 多相
電機(jī)類型 - AC,DC: 無刷 DC(BLDC)
功能: 驅(qū)動器 - 全集成,控制和功率級
輸出配置: 前置驅(qū)動器 - 半橋(3)
接口: PWM,SPI
步進(jìn)分辨率: 1,1/2
應(yīng)用: 汽車級
電壓 - 供電: 8V ~ 28V
電壓 - 負(fù)載: 7V ~ 12V
工作溫度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型: 表面貼裝型
封裝/外殼: 48-LQFP 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝: 48-SQFP(7x7)
應(yīng)用
汽車懸掛系統(tǒng)、駐車制動執(zhí)行器、變速箱泵、轉(zhuǎn)向泵、真空泵、電池組冷卻、滑動門、升降門
機(jī)器人和 cobot、自動化閥門
電子臺階、無人機(jī)
烤箱、洗衣機(jī)、鍋爐、自動百葉窗
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描述
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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON)是應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商。公司的產(chǎn)品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件,幫助客戶解決他們在汽車、通信、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應(yīng)用的獨(dú)…
LB11600JV-TLM-E
LB11600JV-TLM-E 是安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor) 推出的一款三相無刷直流(BLDC)電機(jī)預(yù)驅(qū)動器,專為汽車電子、工業(yè)控制及消費(fèi)類電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用設(shè)計(jì)。UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結(jié)器件。該器件采用 T0247-3 封裝,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用級聯(lián)優(yōu)化 MOSFET,是目前市場上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動 SiC 器件。該器件采用 4 端子 T0247- 封裝,具有極快的開關(guān)速度和類似額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合電感負(fù)載開關(guān)和任何需要標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動的應(yīng)用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨(dú)特的 “級聯(lián) ”電路配置,其中一個(gè)常開 SiC JFET 與一個(gè) Si MOSFET 共同封裝,從而產(chǎn)生一個(gè)常閉 SiC FET 器件。該器件的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢:86-755-83294757
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