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最新資訊英飛凌 IPP075N15N3G OptiMOS? 3 功率MOSFET產(chǎn)品介紹：IPP075N15N3G 是一款高性能N溝道功率MOSFET，采用 TO-220-3 通孔封裝，具有 150V 耐壓和 100A 連續(xù)漏極電流能力。作為 OptiMOS? 3 系列的一員，該器件在 150V 電壓等級(jí)中實(shí)現(xiàn)了 行業(yè)領(lǐng)先的 RDS(on) 和品質(zhì)因數(shù)（FO…
英飛凌 IPP075N15N3G OptiMOS? 3 功率MOSFET產(chǎn)品介紹：
IPP075N15N3G 是一款高性能N溝道功率MOSFET，采用 TO-220-3 通孔封裝，具有 150V 耐壓和 100A 連續(xù)漏極電流能力。作為 OptiMOS? 3 系列的一員，該器件在 150V 電壓等級(jí)中實(shí)現(xiàn)了 行業(yè)領(lǐng)先的 RDS(on) 和品質(zhì)因數(shù)（FOM），相比次優(yōu)競(jìng)品降低40%導(dǎo)通電阻和45% FOM，使其能夠用單個(gè)器件替代原有的兩個(gè)并聯(lián)器件，或從插件封裝轉(zhuǎn)向更緊湊的SMD封裝，從而優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
IPP075N15N3G 技術(shù)規(guī)格
封裝類(lèi)型：TO-220-3
最大漏源電壓（Vdss）：150V
最大連續(xù)漏極電流（Id）：100A
導(dǎo)通電阻（RDS(on)）：6.2mΩ @ 10V
柵極電荷量（Qg）：93nC @ 10V
輸入電容（Ciss）：5.47nF @ 75V
反向傳輸電容（Crss）：10pF @ 75V
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
最大耗散功率（Pd）：300W
IPP075N15N3G 功能特性
優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能：低導(dǎo)通電阻和低柵極電荷，確保高效率和快速開(kāi)關(guān)。
高功率密度：在相同封裝尺寸下提供更高的功率處理能力。
環(huán)保特性：符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素。
高可靠性：適用于高電流和高開(kāi)關(guān)頻率的應(yīng)用。
IPP075N15N3G 應(yīng)用場(chǎng)景
AC-DC SMPS 的同步整流：提高電源轉(zhuǎn)換效率
電機(jī)控制：適用于 48V-80V 系統(tǒng)，如家用車(chē)輛、電動(dòng)工具和卡車(chē)
隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器：用于通信和數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)
48V 系統(tǒng)的開(kāi)關(guān)和斷路器
D 類(lèi)音頻放大器
不間斷電源（UPS）
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